¿Por qué se requiere compensación de frecuencia aquí?

Requisitos del circuito:

  • Ganancia de voltaje CC: 50dB
  • Ancho de banda de ganancia unitaria: 50MHz
  • Margen de fase: 45 grados (se recomiendan 60 grados).

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El circuito es completamente simétrico, por lo que M1=M2, M3=M4 y M5=M6. Por lo tanto, la ganancia de CC de la primera etapa sin el búfer es

A V o = gramo metro 1 R o tu t ,   R o tu t = 1 1 / r o 1 + 1 / r o 3 + 1 / r o 5 + gramo metro 5 gramo metro 3 .

Como necesitamos una ganancia de CC relativamente alta, puedo elegir gramo metro 5 = gramo metro 3 para hacer R o tu t máximo. Entonces R o tu t se convierte R o tu t = r o 1 | | r o 3 | | r o 5 .

De ahora en adelante, sigamos dos enfoques diferentes para satisfacer los requisitos anteriores.

Enfoque 1:

El circuito sin el seguidor de fuente M7 y la red de compensación.

En este caso, el capacitor de carga, CL(=10pF), está directamente conectado al drenaje de M2. Primero intentemos encontrar una ecuación para la frecuencia de ganancia unitaria, F tu . El circuito tiene dos polos con el polo dominante situado en el nodo de salida. Si asumimos que el siguiente polo dominante está ubicado lejos del polo dominante, la función de transferencia se puede aproximar como

H ( s ) = A V o 1 + s / ω pag 1 ,   ω pag 1 = 1 C L R o tu t

Desde | H ( j 2 π F tu ) | = 1 , la ecuación para F tu se vuelve más o menos

F tu = gramo metro 1 2 π C L .

Con F tu =50 MHz, C L =10pF, la ecuación anterior da 3.14mA/V para gramo metro 1 (Despreciando las capacitancias parásitas). entonces eso es para gramo metro 1 .

Ahora con el gramo metro 1 ya determinado y la ganancia de CC es de 50 dB (o equivalente a ~ 320 V/V), solo queda averiguarlo R o tu t , que, según la ecuación de la ganancia de CC, debe ser de ~100 kohmios. Entonces puedo modificar fácilmente r o 1 , r o 3 , y r o 5 para hacer la combinación en paralelo de ellos 100kohms. eso es para R o tu t .

El margen de fase es de 90 grados ya que el otro polo de alta frecuencia no afecta el margen de fase. Un PM de 90 grados no tiene timbre ni sobreimpulso, pero compensa la velocidad. Pero creo que está bien.

Entonces, parece que el primer enfoque funcionó bien sin la necesidad del seguidor de la fuente y la red de compensación.

Enfoque 2

El circuito completo.

Aquí viene mi confusión. No sé por qué necesitamos considerar esas partes adicionales mientras que el enfoque 1 funcionó bien. ¿Alguien podría explicar cómo el segundo enfoque puede ser mejor que el primero (si es que es mejor)?

Creo que la compensación solo es necesaria si el margen de fase ha caído menos de 45 como resultado de las etapas posteriores, o si queremos un buen ancho de banda de ganancia unitaria (?). Pero no veo ninguna buena razón para invocar compensación en el circuito anterior.

¿Y si se conectara una carga real?

Respuestas (3)

¡Buena pregunta! Su análisis de CC es correcto, pero su análisis de CA carece de los efectos de frecuencia asociados con M1, M2, M3 y M4, incluidos los debidos a la capacitancia de transferencia inversa. El cambio de fase asociado con estos variará según los FET que se elijan, pero a cierta frecuencia su margen de fase se degradará al lugar donde oscilará el circuito. El circuito de compensación eliminará la ganancia antes de que alcance esta frecuencia.

¡Cada línea de tu respuesta es una pregunta para mí! No estoy seguro de lo que quiere decir con capacitancia de transferencia inversa. La capacitancia parásita vista en el nodo de salida debido a M2, M3, M4 y M5 es inferior a 1pF, lo cual es insignificante en comparación con CL. Explique más dando fórmulas y ejemplos para que pueda entender lo que quiere decir.
La capacitancia de transferencia inversa, también llamada Crss, es la capacitancia interna del MOSFET entre la compuerta y el drenaje, que suele estar en cientos de pF. Hay otros parámetros Ciss (capacitancia de entrada), Coss (capacitancia de salida) que se describen en onsemi.com/pub/Collateral/AN-9010.pdf.pdf de Fairchild y muchas otras notas de la aplicación. Éstos proporcionarán un cambio de fase en M3 y M4 de modo que pueda producirse una oscilación o reducción de la frecuencia a una frecuencia suficientemente alta.
Oh, ¿quisiste decir Cgd, pero nuevamente estos no tienen efecto en la banda de frecuencia de 50MHz? Para un WL elegido, la capacitancia de drenaje de puerta de M3 o M4 es solo de unos pocos fF y será importante solo en el rango sub GHz
¿Qué MOSFET estás usando?
Estoy usando la tecnología tsmc 0.18u en mi simulación CAD. Entonces, la longitud y el ancho de los transistores son del orden de unas pocas um.
Creo que la inclusión del búfer ayuda a evitar que tanto el f-3dB como la frecuencia de ganancia unitaria disminuyan drásticamente debido a una gran carga capacitiva. El búfer previene esto mientras reduce el margen de fase. De ahí la necesidad de compensación.
Probablemente tenga razón: estaba pensando en componentes discretos. El diseño en este nivel está más allá de mi experiencia.

¿Por qué se requiere compensación de frecuencia aquí?

En teoría, esta compensación no es necesaria. Sin embargo, la práctica general de aplicación de amplificadores operacionales ha llegado a la necesidad de una "compensación" interna, que es esencialmente un error intencional de un amplificador. Esto se hace en la industria desde hace medio siglo, para reducir las inestabilidades en las aplicaciones de retroalimentación cerrada. La explicación detallada de los motivos se puede encontrar en todos los libros de texto y en este documento técnico de TI , que dice en parte:

Los amplificadores operacionales se compensan internamente para ahorrar componentes externos y permitir su uso por personas con menos conocimientos. Se necesita cierta medida de conocimiento analógico para compensar un circuito analógico. Los amplificadores operacionales compensados ​​internamente normalmente son estables cuando se usan de acuerdo con las instrucciones de las aplicaciones. Los amplificadores operacionales compensados ​​internamente no son incondicionalmente estables. Son sistemas de polos múltiples, pero están compensados ​​internamente de modo que aparecen como un sistema de un solo polo en gran parte del rango de frecuencia.

El enfoque 1 es bueno para impulsar cargas de capacitancia, sin embargo, si maneja una carga resistiva, reducirá la impedancia de salida del amplificador y, por lo tanto, la ganancia.

El enfoque 2 tiene el seguidor de fuente que actúa como un búfer y puede manejar cargas tanto capacitivas como resistivas con la misma ganancia.