Efecto fotoeléctrico -- tratamiento mecánico cuántico

Tengo curiosidad por saber si alguien conoce un artículo o un libro donde los autores calcularon la probabilidad de excitar un electrón enviando un fotón a un sólido.

Por ejemplo, mi fotón comienza en el estado | σ + ⟩ y se dispersa sobre el sólido que está en estado fundamental | 0 ⟩ , y acaban con el fotón destruido, es decir | 0 pag h ⟩ y el sólido con un electrón excitado, como | 1 ⟩ . Sería bueno saber la probabilidad de que eso suceda dependiendo del estado inicial del fotón ( α | σ − ⟩ + β | σ + ⟩ ).

¿Más allá de la regla de oro de Fermi?
La probabilidad de que ocurra el efecto fotoeléctrico se mide por la sección transversal, σ. Hay una aproximación para este σ para fotones por encima de la energía de la energía atómica de enlace más alta. Presumiblemente eso no es lo que quieres. Sin embargo, en caso de que lo haya hecho, puede leerlo aquí: ocw.mit.edu/courses/nuclear-engineering/…
@Mikael Kuisma La regla de oro de Fermi calcula la probabilidad de que su sistema se disperse del estado | i ⟩ a estado | F ⟩ , asumiendo un potencial de dispersión dado. Entonces, la creación/destrucción de partículas no está ahí. Los detalles del dispersor están, si no recuerdo mal, codificados en los detalles del potencial.
@ user3653831 El potencial de dispersión en este caso es Ap. Luego, puede cuantificar en segundo lugar el vector potencial A si lo desea, y calcular el elemento de matriz entre los segundos estados cuantificados, pero creo que no agrega nada.
Busque artículos teóricos de simulaciones numéricas de medidas ARPES. Existe el efecto inicial, la dispersión múltiple y algunos de los documentos también pueden usar diagramas y una segunda cuantificación.
@Mikael Kuisma Eso podría ayudar.

Respuestas (1)

Su punto de partida debe ser EO Kane "Teoría de la emisión fotoeléctrica de semiconductores", Phys. Rev. 127 (1) 131-141 (1962) . Esto se hace desde una perspectiva de densidad de estados, considerando tanto el volumen como los estados de superficie.

El siguiente artículo en Phys Rev, GW Gobeli y FG Allen, 'Direct and Indirect Excitation Processes in Photoelectric Emission from Silicon', Phys. Rev. 127(1) 141-149 (1962) también vale la pena leerlo, ya que está vinculado directamente con el artículo de Kane (documentos acoplados de teoría/experimento, ambos de la gente de Bell Labs).

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