Transistor trabajando con polarización inusual

¿Qué le sucedería a un BJT si ambas uniones del transistor están polarizadas hacia adelante? ¿Hay alguna literatura sobre esto? Por literatura me refiero a características/ecuaciones. Cualquier enlace ayudaría. También he dibujado diagramas de circuitos para aclarar mi punto.

esquemático

simular este circuito : esquema creado con CircuitLab

Donde me enseñaron en la universidad, trabajamos en

  1. región activa (BE con polarización directa, CB con polarización inversa)
  2. región de corte (BE-sesgo inverso, CB-sesgo inverso)
  3. región de saturación (BE-sesgo directo, CB-al borde de un sesgo inverso)
  4. ¿Qué sucede si CB y BE tienen polarización directa? ¿Hay alguna literatura o método de análisis cuantitativo para eso? ¿Qué sucede si BE tiene polarización inversa y BC tiene polarización directa? ¿Hay alguna literatura o zona de operación definida para eso?

La razón por la que quiero preguntar es porque recientemente estuve trabajando en un circuito de amplificador operacional conectado a un BJT y hubo un caso en el que ambas uniones estaban polarizadas hacia adelante y no pude entender cómo analizarlo debido a la complejidad básica, de hecho Ni siquiera consideré el caso de que ambas uniones pudieran tener polarización directa simultáneamente y solo llegué a esa conclusión cuando simulé mi circuito, por lo tanto, quiero saber cómo funcionan las regiones para que en el futuro no tenga problemas con mis circuitos. .

Se llama diodo.
Es la región de saturación. Nada especial.
pero incluso en la región de saturación, la corriente Ic fluye hacia el colector en el caso de un npn y sale del colector en el caso de un pnp, pero ¿qué pasa si la dirección de Ic se invierte? ¿Sigue siendo saturación?
@ubuntu_noob Está saturado si ambas uniones están polarizadas hacia adelante, según mi definición. La situación que describe (Ic saliendo de un NPN, es decir, entrando en un NPN, ambas uniones polarizadas hacia adelante) está saturada en el modo inverso. IIRC, Vec(sat) en ese modo puede ser más bajo que el modo de avance Vce(sat) normal, pero, por supuesto, hfe es mucho más bajo que en el modo de avance (normalmente menos de 10 a menos que tenga un tipo de transistor (raro) diseñado para trabajar al revés).
Ver la wiki . Figura de la derecha.

Respuestas (5)

Eso parece ser solo una extensión de la región de saturación si CB y BE tienen polarización directa: http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor#Regions_of_operation

Parece que su definición de región de saturación es demasiado estrecha.

Si BE tiene polarización inversa y BC tiene polarización directa, entonces todavía actúa como un transistor, pero debido a la forma física en que se configuran los bjt, tiene mucha menos ganancia que la activa hacia adelante.

¿Qué le sucedería a un BJT si ambas uniones del transistor están polarizadas hacia adelante?

Sin polarización inversa en la región del colector base, el dispositivo ya no se comporta como un transistor y las dos uniones PN actúan como diodos con polarización directa. Un poco aburrido realmente.

¿Qué denota exactamente su "sesgo"? ¿El voltaje (específicamente, su signo) entre los terminales conectados a los lados p y n de la unión?
@IncnisMrsi No tengo idea de por qué hizo esa (s) pregunta (s) o qué significa su pregunta.
Tenga en cuenta que @The Photon señaló sus conceptos erróneos desde entonces. Una unión con polarización directa (es decir, C-B) aún no implica que la unión ya esté activada (donde el BJT se comporta como dos diodos).
@IncnisMrsi, siéntase libre de dejar una respuesta más detallada. De eso se trata este sitio.

esquemático

simular este circuito : esquema creado con CircuitLab

Los transistores se comportarán como un par de diodos con un ánodo común (NPN) o un cátodo común (PNP).

¿En qué rango de voltaje? No podemos ignorar los efectos de la unión p-n cuando el voltaje B-C es comparable o menor que la brecha de banda. Puede buscar algunas imágenes detalladas en iitg.ac.in/apvajpeyi/ph218/Lec-5.pdf (aunque la región a la que se refiere Ī̲ no se muestra explícitamente).
Este circuito con resistencias no puede llevar un BJT a la región donde B-C tiene polarización directa (todavía no está activado), pero la corriente del colector fluye como en el activo directo. Para efectuarlo, el colector y el emisor no deben ser alimentados desde la misma fuente. Esta respuesta cubre solo una parte de la región de saturación y la parte menos interesante.
Entonces, como proponía el cartel original, es decir, esta configuración "aburrida", Ī̲ no insista en la respuesta.

El propósito principal de un transistor en electrónica es dar una salida basada en la corriente base. Pero, si ambos lados tienen polarización directa, recibiremos salida y si ambos tienen polarización inversa, no recibiremos salida, independientemente de la corriente de base.

Como notó Transistor, el BJT está en la región de saturación. Más específicamente, en una saturación dura (ambas uniones están activadas ); ver el libro a continuación.

R. S. Ramshaw
Power Electronics Semiconductor Switches
Springer Science & Business Media, 2013
ISBN 1475762194

Este artículo también puede ser útil para explicar las regiones entre un estado BJT tan anormal (como en el circuito presentado) y el modo activo hacia adelante. Aunque los gráficos no muestran el estado encendido-encendido, solo la transición a él, se muestra, al menos parcialmente, la región directa de bajo voltaje (donde V BC tiene una polarización directa anormal, pero V CE sigue siendo correcto).

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