Prueba de tipo para espejo de corriente y efecto temprano (transistores Mosfet)

Question

Prueba de tipo para espejo de corriente y efecto temprano (transistores Mosfet)

gr1

¿Alguien puede explicarme cómo puedo probar esta ecuación a continuación (4.19). Sé que $V_{GS1}=V_{GS2}$ y asumiendo que M1,M2 está en saturación entonces $ID=0.5kn(vov)^2(1+\frac{V_{DS}}{V_{A}})$

analogsystemsrf

El M2 no tiene forma, a la frecuencia de CC, de afectar el voltaje en su puerta. Me gusta tu derivación.

gr1

Gracias analogsystemsrf. ¿Me puede aconsejar cómo probar esta ecuación (4.19)?

Respuestas (1)

Prueba de tipo para espejo de corriente y efecto temprano (transistores Mosfet)

El M2 no tiene forma, a la frecuencia de CC, de afectar el voltaje en su puerta. Me gusta tu derivación.
Gracias analogsystemsrf. ¿Me puede aconsejar cómo probar esta ecuación (4.19)?

Domingo · Answer 1

Según la respuesta en la pregunta de Mario: MOS Current Mirror

y la relación:

Podemos llegar a la ecuación 4.19.

Espero que esto ayude.

Prueba de tipo para espejo de corriente y efecto temprano (transistores Mosfet)

gr1

analogsystemsrf

gr1

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Domingo

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