Circuito básico con análisis de diodos.

En primer lugar, considere el punto de funcionamiento de CC del circuito.

Vout es la suma de la caída de voltaje sobre la resistencia de 1k y la caída de voltaje sobre el diodo de silicio = 1k * 1mA + 0.53V = 1.53V. (La caída de tensión sobre un diodo de silicio será de ~0,53 V a 1 mA).

Ahora considere el efecto de Vin. El diodo D2 establece un límite superior en Vout (1,53 V) y un límite superior de 0,53 V en el nodo donde se conectan los diodos. Utilizando un modelo matemáticamente idealizado para el diodo, se sostiene que si Vin > 0, la caída de tensión sobre D1 no puede ser de 0,53 V y D1 tendrá polarización inversa, es decir, Vin no tiene efecto.

Sin embargo, si Vin < 0, D1 tendrá polarización directa y reducirá el voltaje en Vout, Vout = Vin + 1,53 V. D2 tendrá polarización inversa y no tendrá ningún efecto.

Entonces el valor máximo para Vout = 1.53V y el mínimo = -8.47V.

Usando el modelo idealizado para el diodo, tenemos un seno rectificado de media onda con un pico de -10 V y una compensación de 1,53 V. El promedio de un seno rectificado de media onda es Vpeak/pi, por lo que en este caso -10/pi + 1,53 = -1,65 V

Observe algunas restricciones:

1. Si Vout está descargado (se deja abierto), siempre será 1 V más alto que la parte superior de los diodos.

2. D2 hace que las puntas de los diodos sean siempre ≤0 V.

3. D1 hace que las puntas de los diodos sean siempre ≤ Vin.

Póngalos juntos para determinar las características generales. Esto es realmente bastante fácil.