Me topé con el siguiente documento mientras buscaba formas de calcular un valor específico para la resistencia pullup/pulldown para la puerta de un MOSFET. Veo varios cálculos para Rg. ¿Es esa la resistencia pullup/pulldown para el MOSFET?
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La conferencia trata sobre el análisis de estado estacionario de CC del MOSFET. Pull-up y pull-down juegan el papel cuando hay un cambio o un comportamiento transitorio.
Yo no llamaría a R G1 y R G2 en el pull-up y pull-down de la conferencia. En la conferencia, forman un divisor de resistencia, que establece el voltaje de la puerta. También pueden haber dibujado una fuente de voltaje ideal entre la puerta y tierra.
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