Tengo una pequeña pregunta, estoy tratando de comprender los diferentes tipos de conexiones a tierra en la electrónica.
En una conexión a tierra, los electrones pueden hundirse en la tierra con una sola conexión a tierra, ¿correcto? La forma en que lo estoy viendo es mirándolo en una perspectiva CMOS. En los circuitos CMOS hay un flujo de corriente dinámico y es desde uno de los rieles de alimentación hasta la capacitancia parásita en la salida, no hay un "camino cerrado" pero la corriente aún fluye. Entonces, cuando tenemos un circuito de resistencia básico con una resistencia, podemos seguir la misma convención, en la que la carga fluirá desde un punto de mayor potencial a un punto de menor potencial, no es necesario que haya múltiples conexiones a tierra para crear un circuito cerrado. bucle, solo necesitamos una única conexión desde un punto de mayor a menor potencial.
No hay una conexión a tierra real, es solo un punto de referencia. Habrá recombinación de EHP en este punto de referencia.
Mi principal preocupación es la conexión a tierra, una conexión debería ser suficiente. Si solo tenemos una conexión a tierra, digamos que se veía así:
¿El lado positivo tiene un potencial más alto que el de la tierra? ¿Fluiría la corriente hasta que no haya diferencias de potencial entre la fuente y la tierra?
En los circuitos CMOS hay un flujo de corriente dinámico y es desde uno de los rieles de alimentación hasta la capacitancia parásita en la salida, no hay un "camino cerrado" pero la corriente aún fluye.
Hay un camino cerrado. La capacitancia parásita permite que la corriente fluya (momentáneamente) cuando el voltaje en un lado está cambiando, cerrando así el camino.
Pero esto no significa que fluya con una sola conexión al nodo de referencia. La fuente de alimentación debe conectarse desde el nodo de referencia al suministro Vdd del circuito CMOS, de modo que se forme un circuito completo para que fluya la corriente.
Habrá recombinación de EHP en este punto de referencia.
La recombinación de huecos de electrones solo ocurre en semiconductores. Ocurre (como un efecto neto) siempre que el producto de las densidades de población de electrones y huecos es mayor que el cuadrado de la densidad de población intrínseca (es decir, ). No tiene nada que ver con si el semiconductor está en el punto de referencia o no.
G36
Transistor
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