Principio de funcionamiento de un transistor MOSFET

Estaba leyendo una entrada de blog sobre el conflicto de poder del Arduino y tratando de entender todo, cuando llegué a un punto en el que ya no podía entender el principio de funcionamiento del circuito frente a la explicación del MOSFET que encontré en línea:ingrese la descripción de la imagen aquí

En el dibujo de arriba, se muestra que el voltaje de puerta del MOSFET es de 5 V y que no conduce en ese estado, lo que también tiene mucho sentido, ya que se enchufa un conector de barril en el dispositivo y obtiene la energía del regulador de voltaje y no el USB Revisé la hoja de datos del FDN340P y resultó ser un tipo de mejora de canal P, que también se ve en el esquema. Ahora quería leer más sobre los MOSFET y la primera descripción general que vi se veía así:ingrese la descripción de la imagen aquíAquí dice bajo el tipo de mejora MOSFET de canal P que no conduce si el voltaje es 0 y que conduce cuanto mayor sea el voltaje. Esto no tiene sentido para mí considerando el primer esquema ... También vi una segunda descripción general que decía lo mismo. Sería muy feliz si alguien pudiera explicarme esto y tal vez los cuatro tipos de MOSFET en general, ya que no me queda claro después de esto. El inglés no es mi primer idioma, así que lamento cualquier error.

Respuestas (2)

Los MOSFET en modo de agotamiento son dispositivos "normalmente encendidos". Cuando se aplica un voltaje a los terminales DRENAJE y FUENTE, la corriente fluye inmediatamente a través del MOSFET; no se requiere ninguna señal de "control" adicional para que fluya la corriente. Con los dispositivos de modo de agotamiento, el objetivo es detener el flujo de corriente. Esto se hace aplicando un voltaje a los terminales GATE y SOURCE del MOSFET, lo que forma una región de agotamiento en el canal de corriente DRENAJE a FUENTE, lo que aumenta la resistencia en el canal DRENAJE a FUENTE, lo que reduce el flujo de corriente de DRENAJE a FUENTE. FUENTE. Cuando el voltaje de PUERTA a FUENTE se vuelve lo suficientemente grande, la región de agotamiento se vuelve tan grande que cierra completamente (o "pellizca") el canal de corriente DRENAJE a FUENTE, la corriente en el canal se detiene y el transistor es De por "tensión de estrangulamiento .

Una analogía tonta para esto sería una manguera de jardín que está conectada a un grifo de agua, y el otro extremo de la manguera está abierto al aire. Cuando abre el grifo de agua, el agua fluye inmediatamente a través de la manguera; no se necesita nada más para que el agua fluya a través de la manguera. Si aprieta las paredes de la manguera (no el extremo de la manguera) con la mano, el flujo de agua se ralentiza, y si aprieta las paredes de la manguera con mucha fuerza, "aprieta" el flujo de agua y APAGA efectivamente el sistema de riego.

Los MOSFET en modo de mejora son dispositivos "normalmente apagados". Cuando se aplica un voltaje a los terminales DRENAJE y FUENTE, la corriente NO fluye a través del MOSFET; se requiere una señal de "control" adicional para iniciar el flujo de corriente. Con los dispositivos de modo mejorado, el objetivo es iniciar el flujo de corriente. Aquí hay un video de YouTube que explica, en términos muy simples (y mejor que yo aquí), la teoría de operación de un MOSFET en modo mejorado: Funcionamiento de transistores | MOSFET

Una analogía tonta de esto sería una manguera de jardín que está conectada a un grifo de agua, y el otro extremo de la manguera tiene un rociador que bloquea (detiene) el flujo de agua hasta que aprietas el mango del rociador. Cuando aprieta el mango del rociador, "mejora" el flujo de agua a través de la manguera y el rociador y enciende el sistema de riego.

Para un principiante, las designaciones de tipo N y tipo P describen principalmente las polaridades de voltaje de DRENAJE a FUENTE y de PUERTA a FUENTE que encienden y apagan estos dispositivos.

La explicación está mal escrita (o hay contexto en otro lugar, no publicado).

Es correcto que el MOSFET no conduce con 0V "en la puerta", pero no define qué significa eso.

DEBERÍA decir que el MOSFET no conduce con 0V entre la puerta y la fuente (o Vgs = 0V)

Ahora mire su esquema: sí, el voltaje de la puerta es de 5V... y el voltaje de la fuente es... bueno, está conectado directamente al riel de 5V. Entonces Vgs = 5V - 5V = 0V.

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