Esta pregunta puede ser demasiado localizada, pero lo intento.
¿Es posible reemplazar una resistencia variable por un MOSFET, en las condiciones que se muestran en el siguiente esquema?
En caso afirmativo, ¿alguien puede proponer un tipo de MOSFET o los parámetros MOSFET requeridos?
simular este circuito : esquema creado con CircuitLab
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Lo que realmente estoy tratando de lograr es reemplazar R2a por algo simple que pueda controlar con un microcontrolador (DAC).
Estoy pirateando un dispositivo existente y no puedo reemplazar la resistencia R1.
Técnicamente, el MOSFET puede funcionar como una resistencia variable, pero hay dos problemas principales:
En la región óhmica (que es bastante estrecha en términos de voltaje de salida) la linealidad es pobre y también depende del voltaje de entrada. No será muy fácil ajustarlo para que se comporte como una resistencia adecuada.
La resistencia de salida de los MOSFET generalmente no es un valor preciso y será difícil obtener el valor exacto de la hoja de datos. Lo que puedes hacer es medirlo para varios voltajes de entrada y salida, y crear una tabla con los valores. Pero si no necesita que sea preciso, puede usar los gráficos en la hoja de datos.
Otra opción puede ser utilizar un VCR integrado .
Sí, Sergej. ¡Tienes 100% razón!
Un MOSFET se puede usar fácilmente como una resistencia variable. Debe considerar algunos parámetros importantes antes de usarlo como una resistencia variable. Las cosas principales son
La resistencia mínima que necesitas y la del MOSFET que haya elegido.
El comportamiento del MOSFET en la región lineal es similar para casi todos los MOSFET.
Ahora veremos cómo podemos usarlo como una resistencia variable haciendo uso de las siguientes curvas características de MOSFET
Cuando el Esta abajo del MOSFET está en un modo de corte, lo que significa que todo el voltaje de suministro aparece a través del MOSFET. Significa que ahora el MOSFET está actuando como una carga abierta con resistencia infinita.
Cuando aumenta lentamente el voltaje de la puerta, el MOSFET comienza a conducir lentamente al ingresar a la región lineal donde comienza a desarrollar voltaje a través de él, lo que llamamos como . En esta región el MOSFET actúa más parecido a una resistencia de valor finito.
Ahora, cuando el MOSFET ingresa a la región de saturación, la resistencia del MOSFET es la menor y es igual a la del MOSFET que se menciona en el circuito.
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