Memristores: ¿cómo se modelan los memristores en términos de impedancia?

¿ Cómo se modelan los memristores en términos de impedancia?

He estado buscando memristores en la red, pero no pude obtener mucha idea. No estoy interesado en cómo se fabrican los memristores (combinando materiales), (todavía), porque primero quiero entender qué hacen, en comparación con los componentes clásicos de RCL.

Eché un vistazo a https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Memristor&oldid=757282109 (vinculado intencionalmente a la versión que he leído), pero esto me dejó más que confundido. Allí, ni siquiera reconocí algunas fórmulas para componentes RCL.

Entonces vi ¿Por qué la impedancia eléctrica tiene tantos parámetros como tiene? y la respuesta https://physics.stackexchange.com/a/187301 , que no explica cómo se modelan los memristores en términos de impedancia.

La impedancia (un número complejo que describe la diferencia de fase y la relación de amplitud entre el voltaje y la corriente de CA) no puede modelar tal cosa. (Tampoco se pueden describir los diodos ni las cosas con histéresis). Pruebe el intercambio de pila de ingeniería eléctrica.
@Pieter, ¿podría explicar eso? El artículo de wikipedia me llevó a pensar que era algún componente pasivo, algún elemento "faltante" para complementar R, C, L.
Un diodo también es un componente pasivo, pero no tiene una relación constante entre voltaje y corriente. O en un ferromagnético: pasivo, pero histéresis significa que no hay una proporcionalidad fija entre la magnetización y el campo magnético aplicado, por lo que las bobinas donde el núcleo tiene histéresis son más complicadas que una simple inductancia con pérdidas.
@Pieter OK entonces, esperaba entender "qué es un memristor", pero parece que no es tan fácil. ¿Tiene alguna propuesta de cómo puedo cambiar la pregunta/poner otra para entender de qué se trata? Wikipedia no es de mucha ayuda allí.
No se mas que eso tiene efecto memoria, no se como se hace ni para que sirve (especie de resistencia dependiente de voltaje tal vez con histéresis para proteger circuitos?). Pregunte en ingeniería eléctrica.
@Pieter :-( No quiero otra cuenta más. Un condensador también tiene algún tipo de memoria (la carga). No puedo encontrar nada útil en la red que explique la diferencia.
¿ Sería Ingeniería Eléctrica un mejor hogar para esta pregunta?
@Qmechanic Esperaba, al menos para un caso simple y lineal, algo equivalente a la Ley de Ohm, que encajaría bastante bien en la física. Por los comentarios, me temo que este no es el caso. Y más, me temo que Ingeniería Eléctrica me remitirá a la física.

Respuestas (1)

Un memristor es, por definición , un elemento biterminal cuya relación constitutiva es del tipo [1]

gramo ( φ , q ) = 0 ,

dónde φ = t v ( s ) d s es el enlace de flujo y q = t i ( s ) d s es el cargo.

si la relacion gramo ( φ , q ) = 0 es lineal, el memristor degenera en una resistencia lineal y, por lo tanto, su impedancia coincide con la resistencia.

cuando la relacion gramo ( φ , q ) = 0 es no lineal, el memristor se convierte en un elemento no lineal para el cual el concepto de impedancia es válido solo en la llamada aproximación de pequeña señal , es decir, cuando la señal aplicada alrededor de un cierto punto de operación es lo suficientemente pequeña como para que la no linealidad pueda despreciarse. Este tipo de linealización es bien conocido en la teoría de circuitos y, por ejemplo, se aplica comúnmente cuando se analizan circuitos de diodos y amplificadores de transistores. Veamos cómo se puede hacer esto en el caso del memristor.

si la relacion gramo ( φ , q ) = 0 se puede resolver para φ , es decir, podemos escribir φ = F METRO ( q ) (al menos en un cierto intervalo) el memristor se llama controlado por carga y su i v característica viene dada por [1]

v = R ( q ) i , ( 1 )

dónde

R ( q ) = d F METRO ( q ) d q

es una resistencia dependiente de la carga. Desde q = t i ( s ) d s , la carga q en un instante dado depende de la historia pasada del actual. Pero una vez que ha alcanzado un cierto punto operativo q , el de interés, se puede pensar en aplicar una onda sinusoidal de amplitud infinitamente pequeña, de modo que la carga permanezca prácticamente constante. Alrededor de este punto de operación, puede ver en (1) que el voltaje a través del memristor es proporcional a la corriente, es decir, para señales pequeñas, el memristor se comporta como una resistencia con resistencia diferencial R ( q ) . Por lo tanto, la pequeña impedancia de la señal será R ( q ) , independiente de la frecuencia .

Se puede obtener una conclusión similar para el caso en que la relación gramo ( φ , q ) = 0 se puede resolver para q .

En resumen, la impedancia de pequeña señal (no puedo enfatizar esto lo suficiente) de un memristor es resistiva, independiente de la frecuencia y, debido a la no linealidad del memristor, depende del punto de operación.

Se puede encontrar un análisis más detallado del comportamiento del circuito del memristor en los artículos de Chua [1-3]. En [3], en particular, se discute la impedancia. Para obtener información más general sobre el análisis de pequeña señal, puede consultar [4] (¡Chua otra vez!).

[1] LO Chua, "Memristor: el elemento de circuito faltante", IEEE Trans. Teoría de circuitos , CT-18, 507–519, 1971.

[2] LO Chua, "El cuarto elemento", Proc. IEEE , 100, 1920-1927, 2012.

[3] LO Chua, "Fundamentos de circuitos no lineales para nano dispositivos, Parte I: El toro de cuatro elementos", Proc. IEEE , 91, 1830–1859, 2003.

[4] L. Chua, CA Desoer y ES Kuh, Circuitos lineales y no lineales , McGraw-Hill, 1987.

Gracias, ahora puedo ver lo que es. Lo que más me confundió fue que wikipedia menciona el enlace de flujo magnético .
@GyroGearloose Eso confundió a muchas personas. En el caso de un inductor o inductores acoplados, la integral del voltaje es de hecho el enlace de flujo magnético. Sin embargo, desde el punto de vista de la teoría de circuitos, realmente no importa el origen de esa integral: la integral de un voltaje se denomina enlace de flujo, y si esa integral surge de un fenómeno no magnético, sigue siendo un enlace de flujo. Parece que cuando HP desarrolló el dispositivo que realiza el memristor, algunas personas se negaron a reconocerlo como memristor, porque no se basa en un fenómeno magnético.
Este malentendido proviene del hecho de que mucha gente confunde el modelo con la cosa. Para la teoría de circuitos, si un dispositivo se comporta en los terminales como, digamos, un capacitor, es un capacitor, incluso si dentro hay un elfo doméstico que mueve cargas, en lugar de dos electrodos.
Buen punto sobre ese elfo doméstico ;-)