Discrepancia en la información del Mosfet de potencia: características de la región frente a gráficos de carga total

Estoy tratando con Power N-Chanel Mosfets y, mientras miraba la hoja de datos de varias unidades, noté que la información sobre On-Region ($I_{D}$contra$V_{DS}$) y el cargo de puerta ($V_{GS}$contra$Q_{G}$) no coincide. Antes de continuar, creo que sería útil mencionar las suposiciones que estoy haciendo al interpretar estos datos:

• El gráfico de Gate Charge se obtiene suministrando corriente constante al dispositivo bajo prueba durante la conmutación (consulte la sección 2 en esta nota de aplicación de IR o la figura 13 en esta hoja de datos de ST ).
• La operación de conmutación de corriente constante se realiza en 4 pasos. Primero,$V_{GS}$aumenta hasta que se alcanza el voltaje umbral. Entonces$I_{D}$comienza a subir hasta que se alcanza la corriente establecida por la fuente de corriente constante (comienza la Meseta). En tercer lugar,$V_{DS}$disminuye hasta que el dispositivo entra en la región óhmica (finaliza la meseta). Finalmente,$V_{GS}$sigue aumentando hasta que se alcanza el valor final.
• Todos los gráficos en las hojas de datos se dan para los mismos valores de temperatura de unión.

El punto de conflicto es que, en el gráfico de carga de puerta, el voltaje de meseta para las condiciones de prueba dadas (es decir,$V_{DS}$y$I_{D}$) es con frecuencia mucho más alto que el que deduciría utilizando la característica On-Region. Aquí hay un par de ejemplos:

• En semiconductores NTMFS5C426N :

El gráfico Gate Charge muestra que, para una$I_{D}$del 50A la Meseta$V_{GS}$es 4.74V. El$V_{DS}$en este punto debe estar muy cerca de 20V.

Verificar el gráfico En-Región muestra que para, el mismo$V_{DS}$y$V_{GS}$valores, el$I_{D}$debe ser claramente superior a 160A.

Tengo entendido que estas cifras deben coincidir. Le agradecería mucho si pudiera ayudarme a entender por qué este no es el caso. He intentado contactar con los fabricantes pero hasta ahora ninguno me ha respondido.

Este comportamiento también se puede ver en otros Mosfets. No pondré las imágenes aquí, pero aquí están los enlaces a sus hojas de datos si está interesado en consultarlas:

• Sobre semiconductores NTD5805N
• ST STL260N4F7

Este no es siempre el caso, hay algunos dispositivos donde los valores coinciden:

• Infineon IPLU300N04S4