¿Cuáles son las condiciones "a granel" en un semiconductor?

Simplemente se refiere a la parte de la oblea/troquel que no ha recibido implantes o procesamiento adicionales. Excepto cuando... ver más abajo.

En el caso de un transistor, es el implante de pozo al que se hace referencia. Nuevamente, en este caso, es la estructura en la que se insertan los implantes de fuente/drenaje y es la condición de fondo.

Lo que podría ser confuso es que hay un "bulto" para la oblea y un "bulto" para el transistor, siendo el "bulto" del transistor un implante en el bulto de la oblea a través de los implantes de pozo.

El hilo común es que un "bulto" es, por lo tanto, un nivel de fondo de dopaje en una estructura que no es tan activa eléctricamente (es decir, se tiende a aplicar valores de CC, pero no siempre).

Se considera más un giro de frase que un delimitador técnico estricto.

El "bulto" es la conexión del pozo, pero es muy coloquial. En un proceso SOI agotado, no tenemos una conexión "masiva" per se; sin embargo, si tiene un proceso que no es SOI, a menudo escuchará que se hace referencia a "bulto" con respecto a los lazos de obleas, específicamente cuando se trata de nfets porque están en el sustrato dopado con p. Cuando observa un MOSFET analógico, los diseñadores arrojarán el "bulto" para la referencia relativa para el voltaje del sustrato de la oblea, y luego sus lazos WELL (si tiene WELL) son desde donde hace referencia a su voltaje de umbral.

En la sección transversal de nFET a continuación, el Vb es la conexión a granel que es un implante P+ en un sustrato p de la oblea.

Desde la PARTE SUPERIOR, esto se verá así: