He diseñado el siguiente circuito para conectar una señal de 12-20 V a un microcontrolador que funciona con 3,3 voltios. La señal es de 20 V o de circuito abierto.
Quiero que el circuito sea lo más resistente posible. Debería ser capaz de manejar EMI y ESD.
Todos los comentarios y mejoras sobre este circuito son bienvenidos.
Pregunta secundaria: ¿ Cuál es el voltaje positivo máximo que puede tolerar este transistor? La hoja de datos establece que la corriente base máxima es de 100 mA. Si la base se mantiene a 0,7 voltios, la entrada puede ser de hasta 1000 voltios (10k ohm * 100mA). Pero si la entrada es de 1000 voltios, el divisor de potencial convierte el voltaje en la base a 500 voltios. Y el Vcb máximo según la hoja de datos es de 60 voltios.
Me parece bien. El diodo inverso D1 es una buena idea. Si tiene un mínimo de 12 V disponibles, es posible que desee reducir R2 un poco. Este circuito tiene un umbral de quizás 2V, fácilmente podría reducir a la mitad R2 o duplicar R1.
En el caso de un sobrevoltaje extremo momentáneo, el voltaje base-emisor (con polarización directa) no superará un voltio más o menos, incluso con 100 mA. Parece otro diodo en paralelo inverso a D1. Una de las ventajas de un BJT en esta aplicación. Es más probable que la limitación sea la clasificación de voltaje de R1.
Si desea considerar una sobretensión sostenida , es posible que deba considerar la potencia nominal de R1. Si algún idiota lo conecta a la red eléctrica (por lo general, podemos suponer que alrededor de 240 VCA es el voltaje máximo al que los idiotas también tendrán acceso; los idiotas con acceso a voltajes más altos son una especie de problema de autoeliminación), entonces R1 se disiparía casi 6W, por lo que tendría que ser una parte físicamente grande. Podría resolver ese problema aumentando el valor de R1 para que se pueda usar una parte más pequeña.
Yo mismo diseñé un circuito muy similar una vez cuando necesitaba algunas entradas "robustas". Sin embargo, usé R1 = R2 = 100k (en lugar de 10k). Realmente no se necesita mucha corriente de entrada para saturar Q1 con R3 = 10K. Reduzca C1 por el mismo factor si desea mantener la misma frecuencia de esquina.
Si desea algo de histéresis para mejorar las características de conmutación, podría considerar colocar una resistencia de 100 Ω entre el emisor de Q1 y la tierra, y luego conectar el extremo inferior de R2 a esa unión.
El circuito se ve bien para un uso no demasiado exigente.
En extremos extremos, puede tartamudear.
No se especificaron la respuesta de frecuencia a la señal de entrada ni los tiempos aceptables de subida y bajada y, si es importante, es necesario conocerlos.
Vbe de Q1 sujetará la base a ~= 1V máx.
Ibe se puede limitar usando, digamos, dos diodos desde la unión R1-R2 a tierra y una pequeña resistencia (digamos 100 ohmios) desde este punto hasta la base Q1 para que los diodos sujeten los transitorios Vin masivos a aproximadamente 1.5 - 2 V y el transistor sujete la base decir 0.7V.
Ejemplo: si un transitorio conduce la entrada a 1000 V, I_R1 = 100 mA.
Si dos diodos sujetan el extremo inferior de la parte superior de R1, digamos 2V, la corriente base es entonces
(2V-Vbe)/100R = 13 mA.
Los valores se pueden ajustar a la medida.
Las resistencias tienen clasificaciones de voltaje que son independientes de la disipación.
A voltajes muy altos, la clasificación de voltaje de R1 se vuelve importante.
La disipación en R1 es ~ = V ^ 2 / R, por lo que 1 vatio a 100 V con R1 = 10 K.
A 1000 V R1, la disipación es V^2/R = 1 000 000/10 000 = 100 vatios.
No querrá tener ese presente por mucho tiempo o tener que proporcionar una resistencia que pueda manejar ese estado estable.
Esto NO es necesario para ESD. Si alguna vez se encuentra en una situación en la que ocasionalmente puede haber un voltaje muy alto durante más de milisegundos, puede usar una entrada conmutada que se apague en condiciones de voltaje muy alto.
SI los tiempos de respuesta no necesitan ser altos, R1 puede incrementarse en valor para adaptarse a condiciones de mayor voltaje.
yippie
Hasan
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Hasan
KyranF
Russel McMahon
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Hasan