Calrificación de mosfet de entrada y salida R

Solo necesito una aclaración con respecto a la comprensión de los valores MOSFET Rin y R out

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La primera imagen es de un BJT en análisis de señal pequeña. aunque es BJT, solo quiero decir que entiendo cómo se encuentran los valores Rin y Rout en este caso.

1) Ahora, en la siguiente imagen hay un problema MOSPET que he estado tratando de resolver. Ignorando los valores, solo estoy tratando de obtener una comprensión conceptual de lo que sería Rin y lo que sería R out (ignore el hecho de que R in se da como 500K Ohms). También adjunté el pequeño circuito de señal que dibujé de este circuito MOSFET. Dibujé el modelo T y el modelo Pie.

Entonces, si solo miramos como el modelo T. Para mí, veo que R in = (R1)||((R2||1/gm)+2Kohm Resistor) || (R4)(a través de la fuente actual) ?

¿Mi análisis conceptual de Rin sería correcto aquí? Esto es donde estoy confundido. ¿Cuál es la resistencia de la fuente de corriente dependiente y R4. definitivamente están en paralelo con los otros elementos del circuito en el modelo t.

Para analizar esto, tendría que mirar el circuito entre Rin y tierra en un estilo de análisis de Thevenin. ¿Y aplicar como fuente de corriente en la entrada si no se proporcionó vgs para resolver R4?

2) Observar la terminal Vo (segunda imagen) y luego analizar la ruta desde la ubicación de Vo relevante para el modelo t. ¿Rout=(resistencia de 2Kohm)||((R2||1/gm)+(gm.vgs+R4||R1))?

3) ¿Cómo puede el modelo Pi ignorar la gm (conductancia) del mosfet? 1/g = resistencia.

Gracias chicos y chicas.

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Su primera imagen no muestra un modelo MOSFET, muestra un modelo BJT. Rin para MOSFET suele ser efectivamente infinito. Es la capacitancia de entrada de la que debe preocuparse.
si me di cuenta de eso. Solo estaba diciendo que entiendo la entrada y la salida de R obtenidas allí.
esto probablemente responde a su pregunta.

Respuestas (1)

Primero encontremos el R I norte para este circuito con la ayuda de un modelo T:

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Como se puede ver R I norte = V X I X

Pero no podemos decir que R I norte es igual a ( R gramo | | 1 / gramo metro ) + R s porque esto ignora el hecho de que gramo metro V gramo s Fluye en 1 / gramo metro "resistencia".

Este ( R gramo | | 1 / gramo metro ) + R s sólo puede decirnos el voltaje a través 1 / gramo metro "resistor".

Pero esto será más fácil de ver en π -modelo

esquemático

simular este circuito : esquema creado con CircuitLab

Ahora vemos que todos los I X corriente es pensamiento que fluye R GRAMO resistor. Y I S = I X + I D

Así que tratemos de encontrar R I norte = V X I X aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en el lazo de entrada.

V X = R GRAMO I X + ( I X + I D ) R S = R GRAMO I X + ( I X + gramo metro V GRAMO S ) R S

Qué es V GRAMO S ¿en este caso?

bueno espero que lo veas V GRAMO S = I X R GRAMO por lo tanto,

V X = R GRAMO I X + ( I X + gramo metro I X R GRAMO ) R S = I X ( R GRAMO + R S + gramo metro R GRAMO R S )

Y finalmente

R I norte = V X I X = R GRAMO + R S + gramo metro R GRAMO R S = R GRAMO ( 1 + gramo metro R S ) + R S

Entonces para tu circuito R I norte = 3 R GRAMO + 2 k Ω

Como nota al margen.

Note que este factor de multiplicación ( 3 ) es igual a:

1 1 A V

Dónde A V es la ganancia de voltaje sin R GRAMO resistor.

A V = R S R S + 1 gramo metro = 2 k Ω 2 k Ω + 1 1 EM = 0,66 ( 6 )

1 1 0,66 ( 6 ) = 3

Por lo tanto, forme la fuente de voltaje de entrada ( V X ) punto de vista, el R GRAMO La resistencia parece más grande por un factor de 1 1 A V Y esto es lo que a veces llamamos un arranque porque tenemos una retroalimentación positiva aquí.

En cuanto a la resistencia de salida R O tu T necesitas resolver este circuito:

esquemático

simular este circuito

I X = V X R GRAMO + V X R S gramo metro ( 0 V V X ) = V X R GRAMO + V X R S + gramo metro V X = V X ( gramo metro + 1 R GRAMO + 1 R S )

I X = V X ( gramo metro + 1 R GRAMO + 1 R S ) = V X ( gramo metro R GRAMO R S R GRAMO R S + R S R GRAMO R S + R GRAMO R GRAMO R S ) = V X ( gramo metro R GRAMO R S + R S + R GRAMO R GRAMO R S )

Espero que veas por qué R 4 no aparece en esta ecuación. La situación se vería completamente diferente si agregara r o = 1 λ I D resistencia (efecto de modulación de longitud de canal).

V X = I X R GRAMO R S R GRAMO + R S + gramo metro R GRAMO R S

por lo tanto

R O tu T = R GRAMO R S R GRAMO ( 1 + gramo metro R S ) + R S

Muchas gracias. exactamente lo que necesitaba! Voté a favor, pero mi reputación no es lo suficientemente alta. horas de dolor de cabeza resuelto al instante! de nuevo no puedo agradecerte lo suficiente!
Entonces todavía está luchando con este problema sobre Rin = 500k y resuelve R1 y R2.
Soy un estudiante externo, y descubrí hace unos días que faltaban parámetros y la lección ahora lo ha corregido, como el Vdd... ect como dijiste. La situación era la misma para otra pregunta. así que dejé de perder el tiempo. Después de su ayuda anteriormente, no lo he vuelto a mirar porque he estado ocupado con otras cosas. aunque estaba en una clase en línea el otro día y estábamos hablando de Rin y fuera en relación con los BJT y todavía no estaba seguro. Lo volveré a intentar unos días antes de la fecha límite. Pero definitivamente has aclarado el conocimiento que me faltaba.