Cálculo del valor Rs para el circuito del oscilador de cristal Pierce-Gate de 32 kHz

Editar: mi objetivo principal es aprender el modelo matemático para calcular la resistencia de carga R s para satisfacer el nivel de manejo de un cristal dado, no solo arreglar la instancia a continuación.


Estoy construyendo un circuito oscilador Pierce-Gate usando un 74HC4060 y un cristal de reloj de 32kHz 12.5pF.

Soy un novato, pero AFAICT, el circuito oscilador del SN74HC4060 es solo un inversor CMOS con búfer:

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El esquema de mi circuito:

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Debajo de la sección del oscilador en la PCB (el IC de la izquierda es el 4060). La parte posterior de la placa debajo de la sección del oscilador está despejada; sin rastros de señal y sin vertidos de cobre:

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Si bien hago que el cristal oscile, a veces es inestable y varía en frecuencia. Soy un novato y estoy luchando por encontrar los valores apropiados para la resistencia de carga. R 1 .

Según tengo entendido, la capacidad de carga de 12,5 pF del cristal debe ser igual a:

C yo o a d = ( C 1 + C i norte ) ( C 2 + C o tu t ) ( C 1 + C i norte + C 2 + C o tu t ) + C s t r a y

dónde C i norte y C o tu t son las capacidades del circuito del inversor CMOS y C s t r a y representa cualquier capacitancia parásita de PCB. Estoy un poco a oscuras sobre los valores para C i norte y C o tu t y parece que no puedo encontrarlos en la hoja de datos del IC .

Siguiendo las reglas generales en línea, he estado usando 3pF para cada uno y 1pF para C s t r a y . La sustitución entonces da:

C 1 = 20pF
C 2 = 20pF

con lo que lucho es R 1 aunque.

El valor de 470k en el esquema anterior se tomó de https://www.eevblog.com/forum/beginners/using-a-32-768khz-crystal-with-4060-frequency-divider/ pero realmente no entiendo cómo se derivó.

Entiendo que es aceptable para R 1 para igualar la resistencia capacitiva de C 1 (§6.1.2 de http://www.ti.com/lit/an/szza043/szza043.pdf ) que para 20pF a 32768Hz creo que es 241k.

Sin embargo, también entiendo que R 1 sirve para bajar la corriente a través del cristal. La hoja de datos del cristal enumera el nivel de la unidad como 1 m W y 241k parecería demasiado bajo para lograr eso.

Mi circuito funciona a 5V. Con R 1 y X C 1 ambos iguales a 242k y la resistencia en serie efectiva del cristal a 35k, ¿cómo calculo la corriente y el voltaje sobre el cristal?

Aquí es probablemente donde me salgo de los rieles (si aún no lo estoy), pero ¿me acerco a esto como la siguiente red de resistencia equivalente?

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Donde la ley de Ohm pondría la resistencia paralela sobre el cristal y X C 1 a 31k, el voltaje en V 1 a 0,57 V, la corriente a través R 1 a los 18 m A , I X T A L en ~ dieciséis m A y por extensión el consumo de energía del cristal en 0.57 V dieciséis m A = 9 m W ?

¿Cómo me acerco a calcular los valores apropiados para R 1 que satisfacen las especificaciones del cristal?

Respuestas (1)

No vi donde leíste que tiene que ser un valor tan grande, pero esto apenas es suficiente para impulsar una oscilación constante. Sus cálculos no son correctos.

El valor correcto debe tomarse únicamente de la hoja de datos del OEM de XTAL. En su defecto, es de unos 10k Ohms por el espesor del Xtal en mm. Por ejemplo, 20k ~ 40k ohmios.

La razón por la que nadie le dice a nadie por qué este bajo nivel de potencia uW tiene un límite es. No es por el calor resultante sino por el voltaje de ruptura en el XTAL lo que amplifica la "capacitancia piezo-mocional" interna para alcanzar > 10 kV x el voltaje de entrada aplicado.

Esta es la Q aproximada del resonador. (10k min)

Cuando se descompone, la energía se absorbe inmediatamente para dañar la interfaz de la estructura de celosía Xtal y la pérdida de rendimiento.

  • Si operó sin Rs y todavía funciona, considérese afortunado. ... Como no ser alcanzado por un rayo debajo de un árbol.

  • Si funciona bien con las R adecuadas, considere este caso cerrado.

  • si aún funciona mal, considere que el diseño adecuado debe usar conexiones cortas de <<1 cm, luego cualquier estrés de manejo que pueda haber experimentado, incluido;

    • ESD, exceso de tiempo de soldadura> 3 s, caída de 1 m en un piso duro y funcionamiento sin Rs.

EDITAR 20 de julio:
También hay una función de filtro de paso bajo (LPF) para contenido armónico que contribuye a la disipación de potencia pero no a la sintonización de frecuencia resonante. Este punto de ruptura ocurre en Rs*C1 = Tau = 1/(2pi * f).

El punto de ruptura de -3dB ocurre cuando Xc(fo)=Rs. En este ejemplo C1=20pf fo= 32kHz entonces Xc=(1/2pi f C)= 249kΩ

La fórmula utilizada inicialmente fue para la clasificación de potencia en la que los resonadores más grandes tienen un Q más alto y, por lo tanto, valores mínimos más altos de aproximadamente 10 kΩ/mm de espesor. Hay un margen significativo antes de que se produzca la atenuación de la señal en la fundamental a 250 kΩ. si se usaron 2,5 MΩ, entonces la ganancia del inversor debe compensar la pérdida de 20 dB para lograr una salida de onda cuadrada con un exceso de ganancia de bucle. Los Xtals de 32kHz tienen un pico parabólico que es más plano y da un máximo de f. a temperatura ambiente y luego baja a ambos lados.

No vi dónde leyó que tiene que ser un valor tan grande. Ambos crystek.com/documents/appnotes/Pierce-GateIntroduction.pdf y §6.1.2 de ti.com/lit/an/szza043/szza043.pdf sugieren haciendo coincidir la resistencia capacitiva de C1.
Que grande..?. Quiere decir pequeño> 10k. la pregunta muestra 470k, su primer enlace muestra 10-15 Meg en la tabla 1, pero luego explica que está bien usar inversores con búfer, lo que sería obligatorio si usa 15M con bajo voltaje. La ganancia debe exceder la atenuación en fo.
El 10Meg es la resistencia de retroalimentación Rf, no la serie / resistencia limitadora de corriente Rs (R1 en mi esquema). Sin embargo, me cuesta entender cómo determinar el valor apropiado para Rs. En cuanto al valor de 470k en esa otra publicación, no sé cómo lo obtuvieron o si es correcto.
No es correcto si tiene un inversor sin búfer. Lee mi respuesta de nuevo. Y también su primer enlace para la misma frecuencia. único y más importante su hoja de datos
Si, seguro. A menos que haya estado leyendo mal la hoja de datos, el inversor del 74HC4060 sí está almacenado en búfer.
Esperaba que me informaras de las medidas.
Lo siento, puede que me lo haya perdido. ¿Qué medidas? Sin embargo, encontré una hoja de especificaciones más detallada para este cristal de ECS que contiene una configuración recomendada usando Rs=330k, Rf=10M y C1=C2=22pF en 3.3v. ecsxtal.com/store/pdf/ECS-3x8X%202x6X%201X5X.pdf
dijiste que era inestable pero no muestra medidas precisas
Mi objetivo principal es encontrar el modelo matemático para calcular Rs para un cristal determinado, más que hacer que funcione esta placa específica. Similar a cómo se derivan C1 y C2. Editaré la pregunta para que esto se destaque más.