Diferencia general en las velocidades de lectura/escritura para la memoria interna frente a la tarjeta SD

Entiendo que las velocidades de lectura/escritura dependen del teléfono y de la tarjeta SD, pero dado que ambas son memorias flash, pensé que los tiempos de lectura/escritura serían más o menos iguales.

Esa es una suposición incorrecta. Si bien todos son tecnología flash, hay una certeza muy amplia en la velocidad del almacenamiento. Una tarjeta SD de clase 2 tiene una velocidad mínima de lectura/escritura de apenas 2 MB/s, mientras que una tarjeta de ultra alta velocidad puede funcionar a 30 MB/s.

Con un dispositivo adecuado que tenga un bus de tarjeta SD de alta velocidad adecuado, es posible que la tarjeta SD sea más rápida que el almacenamiento interno. Por lo general, este no es el caso, ya que muchas personas simplemente compran una tarjeta SD estándar de 2 MB/s, ya que son mucho más baratas y la mayoría de los consumidores no necesitan almacenamiento de ultra alta velocidad.

Otro problema confuso es el tipo de carga de trabajo para el que se optimiza un almacenamiento. Un compañero de Stack Exchange midió el rendimiento del almacenamiento interno de su Galaxy S2 frente a la tarjeta SD externa que tiene. Lo que descubrió es que el almacenamiento interno es muy rápido a velocidades de lectura, cercano a una tarjeta de clase 3 de ultra alta velocidad a 33 MB/s de lectura, pero solo maneja una mísera velocidad de escritura de 5 MB/s; mientras que su tarjeta SD externa es más equilibrada, a 11 MB/s de lectura pero 8 MB/s de escritura.

Lo que eso muestra es que si ese dispositivo hubiera sido juzgado según los criterios de clase de velocidad de la tarjeta SD, el almacenamiento interno se habría colocado como un almacenamiento de clase más baja que el almacenamiento externo. Sin embargo, dado que una de las cargas de trabajo más importantes del almacenamiento interno es cargar la aplicación en la memoria, la velocidad de lectura masiva del almacenamiento interno probablemente le dará una ventaja real en la velocidad de carga de la aplicación.

En un hilo en [foros de XDA][3], vi que rootear un teléfono permite aumentar las velocidades de lectura/escritura de un teléfono en una tarjeta SD. ¿Qué sucede con el teléfono que permite el salto en las velocidades de lectura/escritura?

Lo que sucede es mucho vudú con una pizca de verdad ocasional. La gente ha estado reportando aumento de velocidad cuando no existe ninguno todo el tiempo. Las velocidades de almacenamiento no aumentan simplemente porque está rooteado.

Ocasionalmente, los fabricantes pueden enviar el dispositivo con controladores suboptimizados, y los modificadores de terceros desarrollaron un controlador mejorado que está mejor optimizado que el que se envía con el dispositivo. La instalación de un controlador personalizado solo es posible si está rooteado o si está flasheando una ROM personalizada. No es el proceso de enraizamiento en sí lo que mejora la velocidad, sino lo que puede hacer con el poder de enraizamiento que puede darle un impulso.

Sin embargo, con mayor frecuencia, lo que sucede es que la mayoría de las optimizaciones importantes no son gratuitas. Lo que gana en las optimizaciones de la velocidad de almacenamiento, puede perderlo en el uso de la batería o en la vida útil del almacenamiento. Los fabricantes casi siempre optimizan para el caso general, y la optimización para el caso general significa compensaciones que no necesariamente se aplican a su situación particular. Por ejemplo, si usted es del tipo que obtiene un nuevo dispositivo cada seis meses, no tiene sentido optimizar para la longevidad del almacenamiento, por lo que es posible que desee cambiar el uso del almacenamiento de manera más agresiva para aumentar la velocidad de escritura de una manera que reduzca su vida total; otra posibilidad es que tenga buenos planes de copia de seguridad o que no almacene datos importantes en el dispositivo, por lo que puede estar dispuesto a cambiar el riesgo de una pequeña posibilidad de pérdidas fatales de datos por un gran aumento de velocidad.