Transistor de alta potencia de coincidencia de impedancia cuando VNA es inútil

Recientemente me he visto atrapado con el transistor de alta potencia (2-10 W) a 900 MHz que necesita entregar 30 dBm de la señal de banda ancha a la antena. Dado que funciona en el modo de alta potencia, se comporta de forma no lineal y no puedo compararlo con el gráfico VNA y Smith estándar. ¿Es esto correcto?

Todo lo que me queda por hacer es poner algunos condensadores de derivación en la línea tx de salida y medir la potencia en la salida con el analizador de espectro. Dado que se trata de prueba y error, no estoy muy feliz de proceder de esta manera. Esperaba que alguien pudiera señalarme el método más sofisticado y significativo.

Si bien no sé la respuesta, es posible que pueda obtener buenos consejos adicionales de Amateur Radio SE y EE.SE (esto parece algo en lo que serían realmente buenos)
Puede buscar datos de extracción de carga en el transistor o usar el método de línea de carga. Simplemente busque en Google "diseño de PA de línea de carga"
Simuladores de Equilibrio Armónico

Respuestas (1)

La medición de potencia de RF es una bestia muy diferente de la medición de parámetros S de señal pequeña. Ni un VNA normal ni un SA son las herramientas adecuadas para ello.

Si desea hacerlo bien (es decir, con la incertidumbre de medición más baja posible), la forma habitual de hacerlo es una configuración de medición de potencia para la que necesitará:

  1. Un medidor de potencia . Es un instrumento "genérico".
  2. Un sensor de potencia . Es la parte específica de la aplicación de su configuración de prueba. Debe ajustarse a sus requisitos de nivel de potencia, rango dinámico, rango de frecuencia e interfaz mecánica (conectores, guía de ondas, etc.).
  3. Accesorios de prueba adicionales . Atenuadores, aisladores, divisores de potencia, acopladores de potencia, interruptores... según lo que quieras hacer.

Así es como se ve un medidor de potencia y varios sensores de potencia:

Medidor de potencia y sensores de potencia

Le recomiendo encarecidamente que lea la nota de aplicación 64-1C de Agilent sobre Fundamentos de las mediciones de potencia de RF y microondas para que pueda comprenderlo bien. Aquí puede encontrar más o menos la misma información en un formato de "diapositivas principales".

En ese AN encontrará un método para calcular la incertidumbre de medida ("error") y para seleccionar un sensor de potencia adecuado. Por ejemplo, dados sus requisitos de alta potencia (+30 dBm) y rango de frecuencia, debería consultar las siguientes tablas (págs. 92-93):

Sensores de termopar

Sensores de diodo

Los sensores de diodo tienen mejor rango dinámico que los sensores de termopar, pero peor rango de frecuencia. 8482H o 8481H podrían ser buenos ajustes para sus necesidades.

Siga este enlace para encontrar más detalles sobre cómo hacer una configuración de medición de energía completa como esta:

banco de pruebas de potencia

También hay VNA no lineales , que por supuesto son, con mucho, la mejor opción, pero sospecho que deben ser prohibitivamente caros.

NOTA ABAJO: No estoy afiliado de ninguna manera a Agilent Technologies. Me refiero a sus instrumentos y notas de aplicación porque he tenido experiencia práctica midiendo potencia con ellos. Los instrumentos de otros fabricantes podrían adaptarse igual o mejor a su aplicación que los de Agilent (depende de usted verificarlo).

Transistor de alta potencia de coincidencia de impedancia cuando VNA es inútil
RespuestasAquíPolítica de privacidad1y, 0v