Si la capa de agotamiento de un colector de transistor/unión base es gruesa, ¿por qué todavía se recolectan portadores mayoritarios?

En "Principios de los circuitos de transistores, octava edición" (parte superior de la página 26) se dice que una vez que se han inyectado agujeros en la región base mediante una unión de emisor de base con polarización directa (que entiendo) de un transistor PNP, se difunden hacia el colector y luego se barren.

Sin embargo, pensé que la unión colector-base estaba polarizada inversamente, lo que significa que el campo eléctrico creado por la polarización externa se suma a la barrera potencial. ¿Cómo es que los agujeros cruzan espontáneamente esta enorme barrera potencial?

Edite después de las respuestas : después de dibujar un diagrama, es mucho más claro. La barrera potencial crea un campo reforzado por la polarización inversa, pero ese campo va contra los agujeros que van hacia la base; en realidad, está acelerando los agujeros desde la base hasta el colector.ingrese la descripción de la imagen aquí

He visto respuestas en SE que dicen "la base es delgada, por lo que los portadores terminan en la capa de agotamiento y, por lo tanto, son barridos", lo que me parece contradictorio.
La unión CB tiene polarización inversa. Entonces Collector tiene un potencial más bajo que la base. Los agujeros son atraídos por la polaridad negativa, se mueven de mayor a menor potencial. Entonces, ¿dónde está la barrera? Creo que pasó por alto el hecho de que los agujeros son una minoría en la base de la PNP.
Entiendo que lo harían, si no fueran detenidos por la barrera potencial (que se ve reforzada por el sesgo inverso de CB) que considero un muro. Sé que estoy equivocado, simplemente no sé dónde.
Hay una barrera en el cruce CB, pero es para la mayoría de los operadores. Los agujeros son portadores minoritarios en la base (la base bcoz es negativa). Piénsalo. Los agujeros siempre se mueven de mayor a menor potencial. La base tiene un potencial más alto que el colector debido a la polarización inversa. Entonces, el campo eléctrico se dirige desde la base al colector. La barrera es para agujeros en el colector que intentan moverse hacia la base, no para agujeros en la base que intentan moverse hacia el colector.
Incluso después de la respuesta de Alfred Centauri, todavía no estaba claro, así que dibujé un diagrama (que se muestra) y luego me di cuenta. Error estúpido, en mi cabeza lo que afectaba a los portadores minoritarios tenía que afectar a los portadores mayoritarios pero son de diferentes polaridades. Gracias.

Respuestas (1)

Pensé que la unión colector-base tenía polarización inversa, lo que significa que el campo eléctrico creado por la polarización externa se suma a la barrera potencial. ¿Cómo es que los agujeros cruzan espontáneamente esta enorme barrera potencial?

El potencial incorporado detiene la corriente de difusión debido a que los portadores mayoritarios se difunden de un lado al otro. Por ejemplo, los electrones en el material N se difundirían al material P (donde se recombinarían) si no fuera por el potencial incorporado. Para la mayoría de los operadores, el potencial construido es una barrera.

Pero en el material N de la base, los agujeros son portadores minoritarios y, por lo tanto, el potencial incorporado no es una barrera en absoluto. Si existe un agujero en la base lo suficientemente largo, puede ser barrido a través de la unión base-colector con polarización inversa por el campo eléctrico allí y hacia la región del colector.

Cuando la unión base-emisor está 'encendida', se inyectan muchos orificios en la región base delgada y ligeramente dopada, por lo que una gran fracción de los orificios inyectados existe el tiempo suficiente para 'deslizarse hacia abajo' por el potencial y hacia la región del colector donde se encuentran. portadores mayoritarios.

Gracias, estúpidamente en mi cabeza, lo que afectaba a los portadores minoritarios tenía que afectar a los portadores mayoritarios, pero después de dibujar el diagrama en mi publicación editada, me di cuenta de que, obviamente, por sus diferentes polaridades, no era el caso.
Si la capa de agotamiento de un colector de transistor/unión base es gruesa, ¿por qué todavía se recolectan portadores mayoritarios?
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