Protección de voltaje inverso e interruptor de corriente de lado alto

Inicialmente, elegí un interruptor lateral alto inteligente Infinion PROFET (ITS428L2). En la hoja de datos se indica que este dispositivo puede proporcionar protección de batería inversa con una resistencia externa. Francamente, no puedo entender cómo debería funcionar esta protección: el diodo del cuerpo del MOSFET interno está colocado de manera que la corriente pueda fluir en caso de voltaje inverso. Entonces, ¿dónde está la protección?

diagrama de bloques

Por lo tanto, traté de encontrar un circuito que proporcione una protección de voltaje inverso real y capacidades de encendido/apagado para corrientes en la región de ~ 10 A y también para corrientes altas (~ 100 A). ¿Es este un enfoque adecuado?

esquemático

simular este circuito : esquema creado con CircuitLab

Editar: fuente modificada y drenaje de PMOS2

Mirando las hojas de datos de varios MOSFET de canal p, me preguntaba sobre el máximo. Valor de corriente de drenaje. A veces, esta corriente se especifica negativa, a veces positiva; a veces se dan ambos valores pero de diferente valor. Pensé que si el MOSFET está conduciendo, ¿no hay dirección para el flujo de corriente?

Ejemplo de SUM110P04-05:

ficha de datos

Respuestas (2)

Me parece que en la hoja de datos del ITS428L2, la protección de batería inversa solo significa que el interruptor no se destruirá en caso de polaridad incorrecta (ver en la página 8).

Con respecto a su circuito: incluso si protege contra la batería inversa, nunca puede apagar la carga porque, independientemente del potencial de puerta del MOSFET, los diodos del cuerpo siempre conducirán (dado que la batería está conectada con la polaridad correcta).

Cuando se trata de la ID de dirección en una hoja de datos MOSFET, debe prestar atención al modo de operación. Si la puerta está accionada, el canal está definido por el RDSon. Aquí la dirección de la corriente no importa, como dijiste correctamente. Pero supongamos que una carga inductiva conduce una corriente a través del diodo del cuerpo hacia la batería cuando el MOSFET está apagado. El diodo del cuerpo es un conductor con muchas más pérdidas que un canal completamente encendido y, por lo tanto, la corriente permisiva es significativamente menor.

¡Gracias por tu respuesta! 1. Accidentalmente coloqué el PMOS2 al revés. Lo cambié en el esquema anterior. ¿Tiene sentido ahora? 2. Entonces, cuando se enciende el MOSFET, la dirección no importa. ¿Eso significa que es indiferente si la corriente de drenaje se declara positiva o negativa en la hoja de datos?
@1: ¡Sí, se ve bien ahora!
@2: No estoy seguro de si está definido en algún lugar del estándar JEDEC, cuando una corriente en una hoja de datos es positiva o negativa. A veces ve una nota como "las corrientes que fluyen hacia el dispositivo son positivas". Entonces, un PMOS en su conexión "natural" (S pos vs. D) tendría una corriente de drenaje negativa, saliendo de D. Pero en caso de duda, consulte las notas a pie de página en las hojas de datos. En la hoja de datos del SUM110P04-05 realmente parecen confundir los signos, esto es un error por parte de las empresas...

Con una fuente de suministro de alta corriente y una carga capacitiva, no pase por alto la corriente de entrada. Esto a menudo se gestiona aumentando el encendido y se puede lograr en el circuito dado de la siguiente manera...

Aplique una resistencia en serie desde la unión R2/SW1 a la puerta de PMOS2. Aplique un capacitor (significativamente mayor que Cgs de PMOS2) entre la compuerta y el drenaje de PMOS2.

Lo dejaré para que experimente o haga los cálculos (según la elección del MOSFET y las condiciones del circuito), aunque un buen punto de partida podría ser 100nF y 10k+.

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