Problemas con el MOSFET de lado bajo en el interruptor de atenuación LED de 12 V

Soy bastante nuevo en electricidad/electrónica. Lo siento si hago preguntas tontas, y gracias por su tiempo.

Quería controlar mi tira de LED enviada desde Ebay , que funciona bien con un adaptador de CC de 12V 2A. Para controlar esto, hice un interruptor de atenuación que está diseñado para funcionar exactamente igual que el de Aliexpress . El esquema es como el siguiente:

Diseñé y ordené un PCB basado en el esquema anterior y funcionó bastante bien. Sin embargo, encontré dos problemas:

• La carga y el circuito están expuestos. Cuando toco una pestaña (atada al drenaje) de una resistencia MOSFET o SMD en una línea GND sobre la tira de LED, el LED se enciende ligeramente.

• El MOSFET no tiene resistencia desplegable de compuerta.

Este último no es tan crítico para mí porque me da un comportamiento esperado: estar encendido mientras el ESP-01 está arrancando. Lo que me entristece es el anterior.

Después de algunas horas de búsqueda, descubrí que este estilo de colocar MOSFET después de la carga se denomina conmutación de "lado bajo" y no es adecuado para aplicaciones en las que el circuito o la carga se pueden conectar a tierra.

De hecho, están físicamente aislados del suelo por una superficie de madera mate (mi escritorio), por lo que espero que funcionen sin problemas. Sin embargo, el LED a veces parpadea aleatoriamente con un brillo muy bajo en la oscuridad, incluso si no tiene contacto con ningún objeto conductor. El brillo aumenta cuando toco la pestaña del MOSFET o la línea GND del LED, haciéndome pensar que esto es cuestión de conexión a tierra, que puede ser un problema con el diseño del MOSFET de lados bajos.

Así que mi pregunta aquí,
Q1. ¿Capté el problema correcto?

No sé si mi diagnóstico es correcto. Puede haber una serie de cosas que me perdí.

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Voy a rediseñar el circuito con MOSFET de canal p de lado alto. Actualmente estoy leyendo este artículo y tratando de entender por qué el MOSFET de canal p funciona de esa manera.

Mi segunda pregunta es:
Q2. ¿Sería una buena opción refactorizar el circuito para usar un MOSFET de lado alto?

Gracias por tu tiempo.