¿Por qué un transistor (MOS) cambia la corriente de salida (Ids) con cambios de una resistencia de carga?

Supongo que sabe que la corriente de drenaje es una función del voltaje a través de GATE -SOURCE.

Por KVL, 5V = VGS + (voltaje de corriente de drenaje a través de 10KOhm) Entonces, cuando cambia su R, el voltaje a través de él cambia, lo que a su vez afecta el voltaje a través de Gate-Source. Este VGS decide Id a través de la resistencia R.

Espero que lo consigas.

Su pregunta sugiere que cree que es una propiedad del transistor que Ids cambia con el valor de la resistencia de carga.

Sin embargo, ignora el hecho de que también depende de CÓMO usa el transistor. En su circuito, asumiendo que los transistores son NMOS (cuando se usa PMOS, no fluiría corriente), los transistores parecen estar conectados como "diodos" y en esta configuración, el MOSFET se comporta como un diodo de silicio normal aunque con una corriente menos pronunciada aumentar sobre el voltaje. Por lo tanto, es de esperar la alta dependencia de Ids para el circuito que muestra.

Básicamente, ¿por qué los transistores dependen tanto de la carga?

Porque la carga (y otras resistencias) definen las condiciones de polarización del transistor . El voltaje de su puerta es siempre de 5 V, mientras que el voltaje de su fuente es Ids*10k Ohm, e Ids es una función del voltaje entre la puerta y la fuente. Verá que tendrá cierta influencia mutua entre Ids y Vgs: cuanto más grandes sean los Vgs, más grandes serán los Ids, lo que a su vez reducirá los Vgs y tendrá una polarización estabilizada del transistor.

Y como puedo calcular los cambios..

Buscando cualquier libro de texto sobre transistores o cualquier curso de electrónica que haya.