¿Por qué la región de saturación se llama así en las características BJT?

El transistor NPN consta de dos diodos, el diodo BE y el diodo BC.

Suponiendo un voltaje BE de 0,7 V, el diodo BE tiene polarización directa y los electrones se inyectan desde el emisor a la región de la base.

Para un voltaje de colector de, digamos, 1V, el diodo BC tiene polarización inversa, existe un campo en la zona de agotamiento que atrae los electrones hacia el colector. Si se reduce el voltaje en el terminal del colector, se eliminan menos portadores de la base y, para algunos voltajes, el colector no puede eliminar todos los portadores de la región de la base. La región base está saturada de portadores.

Se dice que el transistor está saturado.

¿Qué cantidad se satura en la llamada "región de saturación" de BJT?

Obviamente la corriente del colector. Se puede ver muy claramente en el gráfico de características de salida que a medida que disminuye el voltaje del colector al emisor, la corriente correspondiente aumenta con referencia a la línea de carga de CC. Cuando el voltaje se reduce mucho, la corriente del colector comienza a saturarse (sin aumentar más, independientemente de la variación de voltaje entre el colector y el emisor).

Creo que esto puede explicarse solo después de considerar el efecto de la línea de carga. Como es evidente en la figura que se muestra, un cambio en la corriente de base provoca un cambio insignificante en la corriente del colector en la región de saturación. Mientras que en la región activa, provoca un cambio lineal.

Por lo tanto, la corriente del colector es la que se satura con los cambios en la corriente de base.

Aprendizaje (¡suena tonto!): Es una mala idea comprender el funcionamiento del transistor a partir de las características mismas. Comprenda siempre el efecto de la línea de carga (circuito externo) para cualquier operación realista.