PIC24 DATA EEPROM Emulación __builtin_tblpage error

Estás tratando de usar una memoria que no existe.
Solo hay Flash bajo la dirección 0x2AFFE y está intentando acceder a 0x2B002.
Consulte la página 42 de la Hoja de datos
. No hay memoria de ningún tipo implementada en las direcciones entre 0x2AFFE y 0x800000 en su dispositivo; es por eso que la hoja de datos especifica "Lectura '0' no implementada" para ese rango.
Si desea usar algo de Flash para emular EEPROM, debe usar Flash en el área 'User Flash Program Memory' entre 0x00000 y 0x2AFFE.

const unsigned int attribute ((space(prog), address (0x6000))) table[10];
es una forma perfectamente aceptable de hacerlo.
Ha hecho que el compilador asigne ese bloque de memoria a su matriz para que no coloque ningún código allí, lo que lo hace seguro para su uso.
Sin embargo, debe asegurarse de que la dirección y el tamaño que especifique para su matriz se alineen exactamente con uno o más de los 'Bloques de borrado' en el Flash de su PIC.
La hoja de datos le dice que el rango 0x2B000 se divide en 172 bloques, por lo que es 0x400 por bloque. La dirección de inicio y el tamaño de su matriz deben ser un múltiplo de este valor, por lo que, en su caso, debe cambiar el tamaño de su matriz.
Si su matriz no llena exactamente uno o más bloques, entonces el compilador es libre de usar el resto de un bloque para el código, pero dado que el PIC borrará un bloque completo cuando sea necesario para su emulación EEPROM, esto resultaría en algún código que se borra también.

Parece que la variable que pasa a las macros __builtin_tblpage es un byte (bit), mientras que necesita pasar un corto (16 bits)

Utilizo esta función para Microchip para escribir / leer el microchip PIC24EP, deberían ser bastante similares para usted.

/*********************************************************************
 * Function:        unsigned int NVMErasePage(void* address)
 *
 * Description:     Block Erases Program Memory
 * PreCondition:    None
 *
 * Inputs:          address:  Destination page address to Erase.
 *
 * Output:          '0' if operation completed successfully.
 *
 * Example:         NVMemErasePage(UINT32 0xBD000000)
 ********************************************************************/
UINT NVMemBlockErase(void)
{

    NVMCON = 0x400D;                //Bulk erase on next WR
    INTCON2bits.GIE = 0;                            //Disable interrupts for next few instructions for unlock sequence
    __builtin_write_NVM();
    while(NVMCONbits.WR == 1){}
    INTCON2bits.GIE = 1;                            // Re-enable the interrupts (if required).


    // Return WRERR state.
    return NVMCONbits.WRERR;    
}   



/*********************************************************************
 * Function:        unsigned int NVMErasePage(void* address)
 *
 * Description:     A page erase will erase a single page of program flash,
 *                  which equates to 1k instructions (3KBytes). The page to
 *                  be erased is selected using NVMADDR. The lower bytes of
 *                  the address given by NVMADDR are ignored in page selection.
 *
 * PreCondition:    None
 *
 * Inputs:          address:  Destination page address to Erase.
 *
 * Output:          '0' if operation completed successfully.
 *
 * Example:         NVMemErasePage(UINT32 0xBD000000)
 ********************************************************************/
UINT NVMemErasePage(UINT32 address)
{
    DWORD_VAL eraseAddress;
    eraseAddress.Val = address;


    TBLPAG = eraseAddress.byte.UB;
    NVMADRU = eraseAddress.word.HW;
    NVMADR = eraseAddress.word.LW;
    __builtin_tblwtl(eraseAddress.word.LW, 0xFFFF);
    NVMCON = 0x4003;                //Erase page on next WR

    INTCON2bits.GIE = 0;                            //Disable interrupts for next few instructions for unlock sequence
    __builtin_write_NVM();
    while(NVMCONbits.WR == 1){}
    INTCON2bits.GIE = 1;                            // Re-enable the interrupts (if required).


    // Return WRERR state.
    return NVMCONbits.WRERR;

}


/*********************************************************************
 * Function:        unsigned int NVMWriteWord(UINT32 address, UINT32 data)
 *
 * Description:     The word at the location pointed to by NVMADDR is programmed.
 *
 * PreCondition:    None
 *
 * Inputs:          address:   Destination address to write.
 *                  data:      Word to write.
 *
 * Output:          '0' if operation completed successfully.
 *
 * Example:         NVMWriteWord(0xBD000000, 0x12345678)
 ********************************************************************/
UINT NVMemWriteWord(UINT32 address, UINT32 data)
{
    DWORD_VAL writeAddress;
    DWORD_VAL writeData;

    writeAddress.Val = address;
    writeData.Val = data;

    NVMCON = 0x4001;        //Perform WORD write next time WR gets set = 1.
    NVMADRU = writeAddress.word.HW;
    NVMADR = writeAddress.word.LW;

    // Set the table address of "Latch". The data is programmed into the FLASH from a temporary latch. 
    TBLPAG = 0xFA;
    //The smallest block of data that can be programmed in
    //a single operation is 2 instruction words (6 Bytes + 2 Phantom Bytes).
    // Mask the high or low instruction words depending on the address and write either high or low instruction word.
    if(address % 4)
    {
        __builtin_tblwtl(0, 0xFFFF);                //Mask the low word of 1-st instruction into the latch.
        __builtin_tblwth(1, 0x00FF);                //Mask the high word of 1-st instruction into the latch. (8 bits of data + 8 bits of "phantom data" (phantom byte is always 0))

        __builtin_tblwtl(2, writeData.word.LW);     //Write the low word of 2-nd instruction into the latch
        __builtin_tblwth(3, writeData.word.HW);     //Write the high word of 2-nd instruction into the latch        

    }
    else
    {
        __builtin_tblwtl(0, writeData.word.LW);     //Write the low word of 1-st instruction into the latch
        __builtin_tblwth(1, writeData.word.HW);     //Write the high word of 1-st instruction into the latch 
        __builtin_tblwtl(2, 0xFFFF);                //Mask the low word of 2-nd instruction into the latch.
        __builtin_tblwth(3, 0x00FF);                //Mask the high word of 2-nd instruction into the latch. (8 bits of data + 8 bits of "phantom data" (phantom byte is always 0))

    }       

    INTCON2bits.GIE = 0;                            //Disable interrupts for next few instructions for unlock sequence
    __builtin_write_NVM();
    while(NVMCONbits.WR == 1){}
    INTCON2bits.GIE = 1;                            // Re-enable the interrupts (if required).

    // Return WRERR state.
    return NVMCONbits.WRERR;
}

Y los uso como:

typedef short          Word16;
typedef unsigned short UWord16;
typedef long           Word32;
typedef unsigned long  UWord32;
typedef union tuReg32
{
    UWord32 Val32;

    struct
    {
        UWord16 LW;
        UWord16 HW;
    } Word;

    char Val[4];
} uReg32;

void WritePM(char *Data, uReg32 SourceAddr, unsigned int Size)
{
    unsigned int    j, i = 0;
        uReg32 data1;
        char ptrData[6];

    while (i < Size)
    {
        for (j=0; j <6;j++)
            ptrData[j] = Data[j+i];

        data1.Val[0] = ptrData[0];
        data1.Val[1] = ptrData[1];
        data1.Val[2] = ptrData[2];

        NVMemWriteWord((UINT32) SourceAddr.Val32, (UINT32) data1.Val32);

        SourceAddr.Val32 += 2;
        i += 3;

        ClrWdt();
    }
}

Y

#define CONFIG_ADDR 0x7FF000

void WriteConf(char * ptr, unsigned int size)
{
    uReg32 Addr;

    Addr.Val32 = CONFIG_ADDR;

    _IPL = 7;
    Erase(Addr.Word.HW, Addr.Word.LW,PM_ROW_ERASE);
    _IPL = 0;

    WritePM( ptr, Addr, size);

}

void ReadConf(char * ptr, unsigned int size)
{
    uReg32 Addr;

    Addr.Val32 = CONFIG_ADDR;

    _IPL = 7;
    ReadPM(ptr, Addr, size);
    _IPL = 0;
}

Simplemente puede crear una estructura de sus datos y enviar un puntero a esas funciones.

Nota:

• No puede escribir flash sin borrar primero una página completa. Fallaría o los datos se corromperían.
• Necesitas escribir alineado en una página.