Obtención de la resistencia dinámica de un diodo zener en LTspice

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Arriba hay un circuito donde: D1 es un diodo zener de 10 V (ruptura), V1 es una fuente de voltaje que varía de 11 V a 5 OV CC y R1 es una resistencia de 1 k. Mi objetivo es identificar la resistencia dinámica/a granel del diodo zener usando LTspice.

Simulé el circuito de tal manera que la corriente de 0 - 40 mA pasa a través del zener. El gráfico VI resultante se puede ver arriba.

Llamemos a Vz es el voltaje zener e Iz es la corriente zener. Lo que entiendo de lo que leí es que la resistencia dinámica/a granel del diodo zener se refiere a la derivada dVz/dIz cuando Vz está por encima del voltaje de rodilla.

Mis preguntas son:

1-) ¿Puedo usar este gráfico para obtener Vz/Iz que corresponde a la resistencia dinámica? Si es así, ¿existe un estándar en el que la corriente corresponde a la derivada de la resistencia a granel?

2-) ¿Cómo puedo trazar la derivada de este gráfico, es decir, dVz/dIz en LTspice?

Editar: Barrido DC:

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Cuando hice un barrido de CC, los resultados fueron de 5 mA (ya que la hoja de datos toma 5 mA como referencia):

dVz/dIz (supongo que la impedancia dinámica total) es de 25 ohmios de la gráfica anterior. Pero la hoja de datos dice que a 5 mA, la impedancia zener máxima es de 20 ohmios.

Y el voltaje a 5mA Iz es 10.2V en la gráfica. Pero la hoja de datos dice que el voltaje nominal a 5 mA es de 10 V.

¿Hay algún problema con la forma en que comparo?

hoja de datos: http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/71139/LRC/BZX84C10L.html

Vz/Iz es una resistencia estática. Resistencia dinámica = dVz/dIz en LTspice rd = d(Vz)/d(Iz) = d(V(n002))/d(I(R1))
Veo que está utilizando un análisis transitorio (tiempo). No es que eso dé resultados incorrectos (aunque podría usar un pulso muy corto, como unos pocos nanosegundos de duración). Sin embargo, usaría un análisis DC. No uso LTspice, uso Spectre (muy caro) y, a partir de los resultados de una simulación de CC, puedo trazar fácilmente la derivada dVz/dIz. Desea analizar el comportamiento de CC, ¡así que utilice la simulación de CC! Deberá reemplazar la fuente de impulsos por una fuente de CC con barrido.
Me gusta .dc V1 10 20 .1
De hecho, V1/Iz no le dirá nada. Tenga en cuenta también que solo puede evaluar la resistencia dinámica total del zener. Entonces, la suma de la resistencia dinámica del zener intrínseco más la del bulto, los cables de unión, etc. Y también: ¡solo si eso está modelado!
@FakeMoustache ¿Sería genial si pudiera escribir una respuesta con su simulación y comparar la resistencia dinámica total que obtiene con la hoja de datos?
Edité la pregunta debido a sus sugerencias; por favor vea mi edición y pregunta.
25 ohm frente a 20 ohm: entonces espero que el modelo sea inexacto y pesimista. Lo mismo para 10,2 V frente a 10 V. En mi opinión, todos sus números están razonablemente cerca, no me preocuparía demasiado por la diferencia. Recuerde que los modelos son "solo una simplificación de la realidad". Solo los modelos muy buenos tienen una buena precisión (como dentro del 1%). Los buenos modelos no son fáciles de encontrar.
@FakeMoustache Solo una cosa más. ¿Lo que encontré de 25 ohmios se llama "resistencia dinámica total"? ¿Y la impedancia máxima de 20 ohmios en la hoja de datos también es total o solo a granel? Espero no estar comparando manzanas y naranjas.
Aunque no es una respuesta, si usa una fuente de corriente en lugar de voltaje + resistencia, le será un poco más fácil ver en su gráfico la resistencia dinámica. De lo contrario, @G36 es correcto.
Si miro la hoja de datos de NXP del BZX84: nxp.com/documents/data_sheet/BZX84_SERIES.pdf , solo veo una resistencia diferencial de 20 ohmios como máximo para un zener de 10 V a 5 mA. Otros fabricantes podrían llamar al mismo parámetro Resistencia dinámica . El valor será la resistencia total porque al usuario no le importa de dónde viene la resistencia, sino cómo se comporta el zener. Así que no me preocuparía por el volumen o bien.
Con respecto a la pregunta de 10.2 v 10.0V. El modelo que tengo para ese Zener da 10.2V a 5mA. La declaración del modelo tiene la corriente Zener como 1 mA, por lo que si cambia el parámetro Ibv de 1 m a 5 m, debería obtener 10,0 V a 5 mA. Esta es la declaración del modelo: .model BZX84C10L D(Is=.6n Rs=.5 Cjo=150p nbv=5 bv=10 Ibv=5m Vpk=10 mfg=OnSemi type=Zener)
Sin pensar demasiado en esto, presumiría que la resistencia dinámica total (dv/di) sería asintótica a la resistencia a granel a alta corriente.

Respuestas (1)

C:\Archivos de programa (x86)\LTC\LTspiceIV\Draft289.asc

D1 0 Vz BZX84C10L
Iz 0 Vz {iz} AC 1 0
.lib standard.dio
.ac list   1kHz
.step dec param iz  1m 40mA 20
.end
Plot V(vz)/1A

Lamentablemente no pude subir una foto.

¿De qué se trata esto?
Ah ok esto es una simulación por código
Obtención de la resistencia dinámica de un diodo zener en LTspice
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