Me gusta usar OmniFET para MOSFET porque tienen protección interna contra ESD, por lo que es poco probable que los dañe mientras los manipulo y luego, cuando no funcionan, no tengo que preguntarme si está dañado o si tengo un error en el circuito. Estos son FET de canal n, pero ahora necesito un FET de canal p. Traté de encontrar un Mouser y Digikey, pero no tuve éxito. ¿Existe tal cosa?
Básicamente sería un MOSFET y un diodo en un solo paquete. Otras cosas como la protección contra sobrecorriente y sobretemperatura también estarían bien, pero son menos importantes.
La abrazadera de sobrevoltaje no es una protección ESD, es una protección contra un voltaje de entrada demasiado alto durante el uso, evitando que el transistor se encienda si se aplica un voltaje demasiado alto.
La pinza cambiará el transistor de encendido a apagado electrónicamente en caso de que detecte sobretensión. No elimina el voltaje, solo evita que fluya una corriente. Una ESD suficiente aún destruirá el transistor.
Toda la parte de protección solo se puede construir para FET de canal n y no para FET de canal p por razones técnicas:
Los circuitos de protección deben estar alimentados. Necesitamos protección solo cuando es conductivo, porque es cuando se genera calor dentro del transistor. Cuando es conductivo, el voltaje fuente-drenaje probablemente sea bastante bajo. Entonces, la única forma de obtener energía es desde la puerta.
Ahora, un pfet no tiene voltaje en la puerta cuando es conductor, lo que significa que no se puede alimentar una protección activa.
Además, en los amplificadores, donde a menudo se usan pfet, es una mala idea usar transistores protegidos individualmente. Los circuitos de protección no son muy precisos, lo que significa que los transistores individuales no se apagarán al mismo tiempo. Apagar solo un transistor de una configuración simétrica puede generar muy malos resultados.
Sospecho que el dispositivo que está buscando se conoce como "interruptor de lado alto inteligente" (a) , (b) o "interruptor de lado alto inteligente". Como los siguientes (todos los cuales mencionan la protección contra descargas electrostáticas en sus hojas de datos):
Me gustaría agregar que me parece un esfuerzo muy inútil usar solo FET protegidos contra ESD. Si tiene un FET que es lo suficientemente grande como para sostenerlo en la mano, ya es bastante resistente en virtud de la física. La capacitancia de la puerta y la fuente de drenaje aseguran que cualquier carga que pueda inyectar en el dispositivo no provoque voltajes lo suficientemente grandes como para generar chispas.
Pero mucho más importante: al manejar cualquier otro dispositivo activo, probablemente tenga decenas, cientos, miles de diminutos FET en la mano, todos y cada uno de ellos en órdenes de magnitud más sensibles a ESD. Por lo general, hay algo de protección en los pines salientes, pero me temo que la única forma de liberarse realmente de la preocupación de ESD es considerar la seguridad ESD adecuada:
De esta manera, podrá disfrutar de la electrónica con acceso a toda la gama de dispositivos, en lugar de tener que limitarse artificialmente solo a aquellos que anuncian explícitamente la protección ESD. ¡Lo que tampoco le garantiza de ninguna manera que evite daños por ESD!