Mosfet de agotamiento trabajando como mejora NMOS

El mosfet de agotamiento también puede operar en modo de mejora cuando el voltaje de la puerta es positivo (por ejemplo, para NMOS de tipo de agotamiento).

Mi pregunta es :

¿Seguirá siendo válida la ecuación de Shockley en el modo de mejora? o ¿Deberíamos usar las ecuaciones de mejora NMOS?

Además, si conduzco el MOS de tipo de agotamiento a un MOS de tipo de mejora bajo un voltaje de fuente de drenaje constante (Vds), digamos, por ejemplo:

ingrese la descripción de la imagen aquí

En el caso anterior, Vgs es positivo y el MOS de tipo empobrecido está en modo de mejora también Vds > voltaje de compuerta. ¿ Eso significa que el MOS de agotamiento está en la región de saturación del modo de mejora ?

Si descuido Vds aquí y uso ecuaciones actuales del tipo de mejora NMOS, obtengo:

Resistencia =500 ohmios.

Pero estoy confundido acerca de si es correcto o no y, si ese es el caso, ¿por qué debería descuidar Vds?

Respuestas (1)

La única diferencia entre un NMOS en modo de mejora y un NMOS en modo de agotamiento es el valor de Vt para el cual Id = 0, las fórmulas son las mismas.

Si comprende cómo funciona un NMOS de mejora, ¡podría imaginarlo con una fuente de voltaje en serie con la puerta y el total se comportará como un NMOS de agotamiento!

Estoy de acuerdo con lo de Vt, pero ¿las fórmulas son realmente iguales? ¡el mosfet de agotamiento es más como jfet cuando intentas agotar el canal y se usa la ecuación de shockley!
Además, no quiero saber si para los Vds y Vgs dados, el mos de agotamiento se comportará como un mos de modo de mejora en la región lineal o no.
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