¿La conexión de semiconductores tipo p y tipo n funcionaría como un diodo?

Una unión pn es una pieza de un semiconductor que recibe dopaje de tipo n en una sección y dopaje de tipo p en una sección adyacente. Si simplemente pega dos semiconductores de tipo p y tipo n entre sí con la mano, no se comportará como un diodo.

La razón principal por la que una unión pn puede comportarse como un dispositivo unidireccional es su potencial incorporado. Tras la formación de la unión pn (en un proceso como dije anteriormente), los gradientes pronunciados de las densidades de los portadores a través de la unión dan como resultado una alta corriente de electrones y huecos y estos portadores dejan átomos ionizados a medida que se cruzan y se forma una región de agotamiento. Un campo eléctrico resultará de estas cargas que causan un potencial incorporado a través de la unión. Puede encontrar más explicaciones sobre cómo funciona un diodo en esta pregunta.

Si pone un semiconductor de tipo p en contacto con un tipo n, los procesos anteriores no pueden ocurrir.

¡No! Cualquier losa, por plana que sea, tendrá una rugosidad mucho mayor que el espacio entre cristales interatómicos y, por lo tanto, no será posible el contacto continuo a nivel atómico. La unión se comportará como una discontinuidad para los portadores de carga que fluyen.

Al agregar precisamente una pequeña cantidad de impureza pentavelenta, en una delgada oblea semiconductora tipo p, parte de la oblea p-Si se puede convertir en n-Si. La oblea ahora contiene la región p y la región n y una unión metalúrgica entre región p y n.

Sí, en principio es posible hacer un diodo de la forma que describe. Después de todo, si cortas un cristal de silicio por la mitad,$p$-droga la mitad y$n$-dope la otra mitad, luego vuelva a unir las dos mitades, tiene en efecto el mismo resultado final que hacer el diodo dopando un solo cristal. Si es posible en la práctica es otra cuestión.

Sin embargo, si une diferentes semiconductores, por ejemplo, silicio y arseniuro de galio, no estoy seguro de lo que sucedería, ya que no sé cómo se comparan las estructuras de las bandas.

Existe un tipo de diodo, llamado diodo de contacto puntual , que se fabrica tocando un$n$-tipo semiconductor por un alambre de un metal del grupo III. Sin embargo, esto no es realmente conmovedor.$p$y$n$Semiconductores de tipo cuando los átomos del alambre se difunden en el semiconductor para formar un pequeño parche de$p$-tipo semiconductor.

Un diodo Schottky se fabrica uniendo metal (a diferencia de un diodo de contacto, este es un metal inerte) en un semiconductor. De este tipo es el antiguo diodo tipo bigotes de gato que se utiliza en los conjuntos de cristal.

La respuesta práctica a lo que está proponiendo es que no actuaría como un diodo. Esto se debe principalmente a la contaminación e irregularidad del área de la superficie de contacto. Sin embargo, si puede hacer que el área de la superficie de contacto esté limpia, perfectamente plana y calentar las piezas a una temperatura adecuada ( todo hecho al vacío ), entonces podría ser posible.
Tenga en cuenta que usar el método "estándar" para hacer diodos sería mucho más económico que usar este método alternativo.