¿Es posible superar el límite de corriente de un transistor haciéndolo funcionar a un voltaje más bajo?

Según la pregunta editada, ahora que estamos hablando del BC337, haré comentarios específicamente sobre esa parte.

En primer lugar, la sección al principio denominada "Valoraciones máximas" no debe utilizarse para el diseño. En otras palabras, si el máximo de Vceo es de 45 V, debe evitar exponer el circuito integrado a 45 V. Tal vez permanezca en 40V o menos.

Además, tenga en cuenta que debe evitar todos los máximos. Ha anotado el límite de voltaje y el límite de corriente, pero también debe tener en cuenta el límite de potencia. En este caso, hay dos límites de potencia, que dan condiciones diferentes. Uno se aplica cuando Ta (temperatura ambiente) es de 25 °C y el otro se aplica cuando Tc (temperatura de la caja) es de 25 °C. Para nuestros propósitos, podemos ignorar el límite de Tc porque es esencialmente imposible mantener el caso a 25°C cuando el transistor está disipando mucha potencia.

La segunda cosa a tener en cuenta sobre el límite de Ta es que solo se aplica cuando la temperatura ambiente es de 25 °C. Consulte la nota que dice que el límite debe reducirse en 5 mW/C. Esto significa que por cada grado por encima de 25C, debes restar 5mW del límite. Por ejemplo, si la temperatura ambiente es de 45C, eso es 20 grados por encima de los 25C. Entonces el límite será 625mW - (20 * 5mW) = 525 mW.

La disipación de potencia es Ic * Vce + Ib * Vbe. Entonces tendrá que calcular eso con sus condiciones de operación específicas y ver si funciona.

Pero si realmente necesita algo como 800 mA, le sugiero que use un MOSFET. La corriente de compuerta de CC en un MOSFET (análogo a Ib) es insignificante, y la caída de voltaje desde el drenaje a la fuente (análogo a Vceo) suele ser mucho menor, por lo que el MOSFET no necesita disipar tanta energía.

Espero que esto ayude.

No solo no puede hacer eso, sino que es muy probable que tampoco pueda ejecutarlo con 800 mA y 5 V al mismo tiempo.

Por lo general, la clasificación de voltaje es el voltaje máximo que se garantiza que el transistor bloqueará en el estado de corte.

Y la clasificación actual es la corriente máxima en un estado completamente saturado (BJT) o en la región del triodo (MOSFET).

Cuando se opera en la región activa directa (BJT) o en la región de saturación (MOSFET), es probable que el límite máximo de potencia proporcione un límite más bajo de corriente y voltaje que cualquiera de esos límites.

Si está clasificado para 800 mA, eso es a cualquier voltaje (dentro de los límites de voltaje nominal). Por supuesto, existe la posibilidad de que cualquier transistor con una clasificación de 800 mA funcione durante un tiempo, o posiblemente incluso para siempre, a 1000 mA, pero no puede contar con eso. Las especificaciones son las condiciones bajo las cuales el fabricante garantiza que funcionará.

Si está dispuesto a exceder las especificaciones, tener un mejor disipador de calor hará más para permitir que el transistor funcione a una corriente más alta sin daños que un voltaje más bajo.