Curvas de transistor CE

Creé la siguiente simulación en LTSpice y estoy ejecutando un barrido de CC para V1, I1: .dc V1 0 5 5m I1 0 100u 10u.

Una vez finalizada la simulación, obtengo esos dos gráficos para V C = F ( V b ) y I C = F ( I b ) .

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esquemático

simular este circuito : esquema creado con CircuitLab

¿Puede alguien ayudarme a entender lo que estoy viendo en esos gráficos? Esperaba que el voltaje en el colector comenzara en el valor máximo V 1 como el transistor está en modo de saturación y luego caería a 0 V a medida que el transistor entra en la región de corte. No veo eso aquí y estoy confundido acerca de qué ecuaciones describen ese problema. ¿Cómo puedo calcular la ganancia de voltaje y corriente usando esos gráficos?

Gracias de antemano.

Vc=V1, no es una variable dependiente. Probablemente quieras trazar Ic=f(Vc)

Respuestas (2)

No estoy del todo seguro de lo que te gustaría, pero prueba el siguiente esquema:

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Cuando lo ejecute, haga clic con cuidado en el colector de q 1 para que obtenga la corriente mostrada:

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Es tan fácil como eso obtener una buena pantalla que también incluye el efecto temprano. Puede reemplazar el modelo BJT, como lo desee, por supuesto.


La única dificultad que veo en su primer panel es la curva verde a la izquierda. Para arreglar eso, comience su actual en algo que NO sea 0, como lo hice yo. El resto de las curvas en ese primer panel solo muestran el V B mi valores. Lo cual no parece irrazonable (sin conocer el modelo BJT que está utilizando).

Aquí está el mío (después de ajustarse a su 5 V límites):

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Esto tiene mucho sentido. (Tal vez tendría mucho más sentido para usted si hubiera intercambiado los parámetros de los ejes X e Y. Recomiendo probar eso y ver si la idea surge de inmediato).

Cada curva se basa en establecer primero una corriente en la base. Entonces, en mi ejemplo, esto sería I B = 10 m A . Luego barre V C mi de 0 V a 5 V en pasos de milivoltios. Eso es lo que se pidió en mi caso. Así que cada curva se desarrolla de esa manera. el eje x es V B mi y el eje Y es V C mi .

Cuando V C mi es muy pequeño, es obvio que el transistor también está muy saturado. (Si tuviera que ampliar los primeros milivoltios para V C mi ¡incluso podría ver casos en los que la corriente del colector es menor que la corriente base!) El valor de V B mi permanecerá bastante plano (especialmente en una escala lineal, ¡intenta configurar tu eje Y en logarítmico!) durante bastante tiempo en I B = 10 m A , porque un BJT saturado no se mueve mucho en V C mi hasta llegar al punto donde deja la saturación y el β comienza a hacer efecto. Entonces V C mi puede moverse. Lo mismo con cada curva sucesiva. Realmente no es ningún misterio en absoluto. Solo necesitas envolver tu mente alrededor de la idea. Y no sé cómo crear ese avance para ti. Solo necesitas trabajar. No se lo pueden dar en bandeja sin que yo escriba MUCHOS PÁRRAFOS.

El segundo panel que proporciona también es bastante normal. El β es alrededor de 190 más o menos para su dispositivo. ¿No ves por qué funciona de esa manera? (Tome el valor de la corriente base para una línea dada, multiplíquelo por 190, y eso debería darle la altura aproximada que ve). Aquí está el mío:

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Estoy obteniendo esta curva. Sin embargo, no puedo explicar la forma de las otras dos curvas.
@Bill Agregué una nota.
Entonces, calculo el valor de β para cada línea y no para todas usando la fórmula β=ΔIc/ΔIb, lo entiendo. ¿Puede explicar por qué la gráfica Vce versus Vbe es aceptable? Parece que no entiendo por qué.
@Bill, le di una oportunidad. Solo necesitas trabajar esto en tu mente. No puedo servirte esto en bandeja. Es muy fácil para mí ver. Sólo tienes que luchar contra esto. Tenga en cuenta la saturación frente a los modos activos, es lo mejor que puedo hacer rápidamente para ayudarlo. Aparte de eso, tendría que escribir muchos párrafos. Y mis dedos están cansados.
buen señor, gracias por tomarse el tiempo para responder!
@Bill Espero que haya ayudado y me encantaría saber si lo hace.

I1: .cc V1 0 5 5m I1 0 100u 10u.

Cuando Vc=V1 0 5
- V1 barre 0 hasta 5V hay 0 corriente y Vbe=0 . El comienzo del barrido con Ib=0 muestra el voltaje de fuga a la base con la fuente de corriente siendo la impedancia infinita.
- los siguientes barridos con 10u+ muestran la pendiente inicial de Rbe (Rpi) con un aumento de Vbe, luego el barrido de salida tira a 5V ya que no tiene R limitador de carga en serie.

Problema; Cuando barre un sumidero de corriente controlado por voltaje en una fuente de voltaje de barrido ideal, la impedancia de salida es cero de V1. Para rango de operación lineal, elija Rc = Vmax/Imax

Solución:

agregue una serie adecuada Rc a V1. Luego grafique Ic vs Ib, Vce vs Ic y luego Vbe vs Ic, todo con una serie de carga fija R.

A partir de la última curva, tendrá una pendiente que indica la resistencia interna de Rce durante la saturación (Vce<2V) o en la especificación de facto Vce(sat) en Ic/Ib=10