¿Es posible cambiar una carga de CA usando dos MOSFET en antiserie como en la imagen a continuación?
En este modo, cada MOSFET está encendido durante la mitad de la onda y el diodo del cuerpo del otro conduce para completar el circuito.
Con algunos MOSFET R DS (encendido) acercándose a 4 mΩ, hay muy poca pérdida (generación de calor) por parte del FET. Sin embargo, el diodo del cuerpo o incluso el diodo Schottky externo pueden disipar fácilmente 1 W/A dada la caída cercana a 1 V.
¿Existe un circuito más eficiente que use solo los transistores y no los diodos para una onda de CA típica?
En este modo, cada MOSFET está encendido durante la mitad de la onda y el diodo del cuerpo del otro conduce para completar el circuito.
No, eso no es precisamente cierto. Ambos MOSFET se encienden cuando se aplica el voltaje de fuente de puerta correcto y sus respectivos canales conducirán corriente en cualquier dirección. Así, los diodos del cuerpo son desviados por sus respectivos canales DS: -
El gráfico anterior es de aquí y muestra que con el voltaje y la corriente DS inversos (pero aún con el mismo voltaje positivo de la fuente de la puerta) se obtiene una conducción casi idéntica en comparación con el caso directo.
Claramente, cuando VGS = 0, el diodo del cuerpo comienza a conducir en reversa, como lo ve la línea azul claro.
Entonces, lamento decir que la persona de TI que dibujó y describió esa imagen está equivocada. Ambos MOSFET están encendidos y ambos derivan sus respectivos diodos de cuerpo sin importar en qué dirección fluya la corriente. Por cierto, he enviado un informe de error a TI.
Juan D.
Andy alias
harry svensson
MandoMando
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Andy alias
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