¿Cómo la corriente de deriva es independiente del voltaje de polarización en los semiconductores?

Según mi libro de texto:

La corriente de deriva es relativamente insensible a la altura de la barrera de potencial. La razón de esta anomalía es el hecho de que la corriente de deriva no está limitada por la rapidez con la que los portadores son barridos por la barrera , sino por la frecuencia .

Por lo que sé, la corriente de deriva (digamos para los agujeros) viene dada por,

$$\vec J_p=pq\mu_p\vec E$$ donde p es la concentración de huecos, q es una carga,$\vec E$es el campo eléctrico neto y$\mu_p$es la movilidad del agujero. El campo eléctrico neto aquí es la suma vectorial del campo aplicado (debido al sesgo) y el campo incorporado debido a los iones donantes y aceptores.

Incluso cuando no hay sesgo y la unión está en equilibrio, la ecuación anterior sigue siendo válida. De hecho, en equilibrio, se puede decir que$\vec J_{diffusion}+\vec J_{drift}=0$y la expresión para$\vec J_{drift}$se deriva de la ecuación anterior.

Entonces no entiendo cómo el campo eléctrico no afecta la corriente de deriva.

PD: Puede ser que me equivoque$\vec E$siendo el campo eléctrico neto (mientras que debería ser el campo eléctrico incorporado ). Pero incluso entonces, no entiendo cómo el campo eléctrico aplicado (debido a la polarización) no afecta la corriente de deriva.