¿Calcular la ganancia de MOSFET mejorada de tipo N con dos ecuaciones diferentes me da un resultado diferente?

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Hola, echa un vistazo a este problema desde mi cuaderno. Deje en paz el hecho de que la resistencia en realidad debería ser 1,111.111, no está relacionado.

Si afirman que VGS = 2 y Vs está conectado a tierra, significa que VG = Vin = 5V. Y si VD = Vout = 10V.

Si es cierto, entonces la ganancia debería ser Vout/Vin = 10/5 = 2. Pero si lo calculo con la fórmula diferente gmRd, entonces la ganancia es de hecho 6.6.

¿Cómo es eso posible?

la resistencia no debería, de hecho, ser 1111.111 Ω, porque ese nivel de precisión costaría una cantidad ridícula de dinero sin ningún beneficio. Use una resistencia de 1.1 kΩ ± 5% y estará bien.

Respuestas (1)

Hay dos problemas que veo. La primera es que creo que te has equivocado con el voltaje real de la fuente de la puerta. V GRAMO S = 5 V para el voltaje de umbral MOSFET, que se llama V GRAMO S , t h = 2 V en tu texto.

En segundo lugar, no están calculando la ganancia en función de los voltajes de entrada y salida de CC pura, por ejemplo, Vout/Vin porque están hablando de una pequeña ganancia de señal. En la ganancia de señal pequeña , realiza un cambio "pequeño" en el voltaje de entrada (por ejemplo, 0,1 V) y mide el cambio en el voltaje de salida (por ejemplo, 0,66 V). Los niveles base de CC para su voltaje de entrada y voltaje de salida no son un factor.

¡Gracias! Entonces, ¿la fórmula 2k (Vgs-Vgsth) y luego Gm*Rd dan una mejor representación de las señales pequeñas?
@Theprocodernotreallyxd gramo metro es la notación de "transconductancia a pequeña escala". Es un supuesto implícito de esta fórmula.
Entiendo, entonces, ¿el resultado de ganancia final (6.6) está devolviendo aproximadamente la ganancia promedio que obtendría una señal pequeña?
Correcto: una señal muy pequeña no cambiaría significativamente el nivel de polarización de CC del sistema. La ganancia de señal pequeña se agota cuando comienza a querer obtener fracciones significativas de un cambio de voltios en la entrada o salida. En ese momento, debe comenzar a cambiar su técnica de análisis (por ejemplo, SPICE).
¿Calcular la ganancia de MOSFET mejorada de tipo N con dos ecuaciones diferentes me da un resultado diferente?
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