Ajustabilidad de la velocidad de giro

La conducción del MOSFET está controlada por su carga total de puerta $Q_g$: operar un MOSFET es equivalente a cargar y descargar su capacitancia de puerta, llevándolo desde su estado "APAGADO" (conducción cero entre los electrodos de drenaje y fuente y$Q_g=0$) a su estado "ON" (conducción completa entre los electrodos de puerta y fuente y$Q_g=Q_{g\max}$) Y a la inversa. El proceso es exactamente la carga de un capacitor (no lineal): si desea controlar la "velocidad" de la transición entre estos estados de conducción, la forma más sencilla es controlar la corriente de carga. Mirando su circuito, la mejor manera es quizás cambiar su interruptor de entrada saturado$\mathrm{Q}_2$con un espejo de corriente "amplificador" adecuadamente controlado: la corriente que carga la puerta es controlada por el potenciómetro$\mathrm{PT}_1$, que puede ser digital.

^{simular este circuito : esquema creado con CircuitLab}

notas

• Mediante el uso de este circuito, puede controlar la velocidad de carga de la puerta de$\mathrm{Q}_1$sin variar su capacitancia de puerta (es decir, sin cambiar$C_1$). Bajar el valor de$\mathrm{PT}_1$sube el$I_{C2}$corriente que a su vez eleva la$I_{C3}$corriente (el factor amplificador es una función de los valores de$\mathrm{R_{E1}}$y$\mathrm{R_{E2}})$y reduce el tiempo de carga de la puerta de$\mathrm{Q}_1$, reduciendo el tiempo de subida de su salida. Por el contrario, al aumentar el valor de$\mathrm{PT}_1$reducir el tiempo de subida de salida.
• Por supuesto, puede diseñar un mejor circuito de carga de compuerta controlado por corriente que el que propuse, pero este último puede diseñarse para que sea muy rápido, si es necesario.

Nueva edición

Una relación entre la corriente de entrada$I_{in}$desde el$\mathrm{HB}_1$interruptor y el$I_{C3}$corriente de descarga en función de las resistencias$R_{E1}$y$R_{E2}$que se puede deducir de las propiedades del circuito del transistor de unión bipolar es el siguiente:

• $h_{FE}$es la ganancia actual de$\mathrm{Q}_2$y$\mathrm{Q}_3$(se supone que es el mismo).
• $I_{in}=\frac{V_{in}-V_{BE1}}{R_{E2}+R_{E3}}\approx\frac{V_{in}}{R_{E2}+R_{E3}}$

¡No creo que HB1 se use para problemas de conmutación, ya que el voltaje en HB1 está en vcc a menos que el fusible F1 se derrita! Por lo tanto , HB1 es un puerto de entrada para detectar si el fusible se ha ido .

El HB2 se utiliza para encender y apagar el transistor p-MOS Q1 a través de Q2 . La velocidad de giro positiva se puede ajustar mediante R3 y C3 , mientras que la velocidad de giro negativa durante el apagado se ajusta mediante R1 y C1 . ¡Pero si está utilizando un controlador, asegúrese de que los puertos puedan entregar la corriente!

Esta configuración de circuito también garantiza que el interruptor se apague de forma segura mientras se enciende, ¡lo cual es imprescindible en la mayoría de las aplicaciones!

Por cierto: no creo que sea inteligente usar el Q2 como un npn, mejor usa un NMOS en su lugar.

NOTA :

Las velocidades de giro en los interruptores no son el mismo problema que las velocidades de giro en los amplificadores operacionales.

¡En su diseño, debe agregar una resistencia de entrada en serie a HB1 por razones de seguridad!