Adaptación de un atenuador de HF a mayor potencia

Necesitará una caída de ganancia general de 5 dB, por lo que sus opciones aquí parecen ser las siguientes:

1. OPCIÓN MÁS SIMPLE (y directa): use un 50 externo$\Omega$Atenuador de 5 dB capaz de manejar una potencia de entrada de 8W. Diseñe y constrúyalo desde cero usando una de las muchas calculadoras en línea disponibles.

2. OPCIÓN SIMPLE (pero no sencilla): aumente la atenuación de entrada en 5 dB. Esto significa cambiar los valores de$R_2$,$R_3$,$R_4$y$R_5$, y también significa cambiar la clasificación de potencia de las resistencias porque disiparán más potencia. El atenuador de entrada también proporciona coincidencia de impedancia, por lo que debe volver a calcular estos valores teniendo en cuenta$R_8$y la impedancia de entrada de la puerta MOSFET (según la hoja de datos: 180 pF @ 1 MHz).

3. OPCIÓN COMPLEJA: Reduzca la ganancia del transistor en 5 dB (esta también es una opción de mayor eficiencia energética). Esto se logra cambiando la configuración del potenciómetro P1 para que el voltaje de la compuerta MOSFET sea más bajo y la corriente de polarización se reduzca. Puede ajustar la ganancia a un valor más bajo durante el proceso de sintonización. En este caso no tienes que cambiar los valores de$R_2$,$R_3$,$R_4$y$R_5$, pero debe cambiar su potencia nominal junto con la potencia nominal de$R_8$y la calificación actual de$L_1$. También debe verificar que el voltaje de la fuente de la puerta no exceda la clasificación de voltaje de +/20 V del MOSFET. Con una entrada de 8 W, esta es una posibilidad muy real y podría significar que esta opción no es factible.

4. OPCIÓN AÚN MÁS COMPLEJA (pero posiblemente óptima): una combinación de las opciones 2 y 3. Divida la caída de ganancia de 5 dB entre el atenuador de entrada y la ganancia del transistor.

Para fines de referencia: hoja de datos IRF510 .